用于cmos工艺的双功函数ni全硅化物金属栅 dual-work-function ni-fusi metal gate for cmos technology.pdfVIP

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2017-08-17 发布于上海
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用于cmos工艺的双功函数ni全硅化物金属栅 dual-work-function ni-fusi metal gate for cmos technology.pdf

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用于cmos工艺的双功函数ni全硅化物金属栅 dual-work-function ni-fusi metal gate for cmos technology

第28卷第10期半导体学报 Vol28 No10 JouRNALOFSEMICoNDUCTORs Oct．．2007 2007年lO月 CHINEsE Dual—Work—FunctionNi—FUSIMetalGateforCMOS Technology” Zhou Xu Qiuxia Huajie+and 100029China) (InstituteofMieroeleetronicH，ChineseAcademy吖Sciences，Beifing function of full is AbstractlThis thework a paperinvestigates adjustment gate．It foundthat beforesilicidationcan theworkfunction metal into modulate ofaNi．FUSI implantingdopantpoly．Si or as workfunctionofa the of BF2·As,andP·the gateefficiently．Withimplantationp-typen-typedopants·such Ni—FUSI be metalcan made orlowerto the of or gate higher satisfyrequirementpMOS a doseofAsintoa beforesilicidationwillcausethedelaminationeffectandEOT implantinghigh poly—Sigate loss，andthusAs isnotsuitabletobeusedto theworkfunctionofaNi·FUSImetal tothe dopant adjust gate．Due EOT reductionintheFUSI currentofaFUSImetal is thanthatof processtthe gatecapacitor gateleakage larger apoly—Sigatecapacitor． words：metal silicide Key f gate}FUSI PACC：0660EEACC：2550 CLC Document Article Illunber：TN386 code