用于高亮led的si键合研究 research on silicon bonding for high-bright led.pdfVIP

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2017-08-17 发布于上海
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用于高亮led的si键合研究 research on silicon bonding for high-bright led.pdf

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用于高亮led的si键合研究 research on silicon bonding for high-bright led

技术专栏 Column Technology doi：10．3969／j．issn．1003—353x．2010．05．005 用于高亮LED的Si键合研究王书昶1，林岳明2，李伙全1，刘剑霜1，张俊兵1，金豫浙1，曾祥华1 (1．扬州大学物理科学与技术学院，江苏扬州225002； 2．扬州华夏集成光电有限公司，江苏扬州225009) 摘要：在Si和外延层之间使用一层薄金属层作为高效反射镜的所谓“镜面衬底”，不但有助于提高芯片的出光效率，同时把键合温度降低到300oC以下。利用Au／ln合金的方法，来实现用为焊料，si片与AIGalnP四元外延片可以实现比较好的键合，键合面可以达到60％。通过研磨减薄、x．my测试和扫描电镜(SEM)测试得出键合面的界面特性，通过能谱分析得出键合面的物关键词：硅键合；Au／In合金；AIGaInP外延片；发光二极管；镜面衬底中图分类号：TN305．96文献标识码：A 文章编号：1003—353X(20LO)05．0436．04 ResearchonSilicon for LED BondingHigh·Bright WangShuchan91，LinYuemin92，LiHuoquanl，LiuJianshuan91，ZhangJunbin91， Jin Yuzhel，ZengXianghual 225002，Ch／na； (1．CollegeofPhysicsTechnology，YangzhouUniversity。Yangzhou OE 2．妇，珈“HuaxiaIntegratedSystemCo．，Ltd．，Yangzhou225009，China) athin metal efficientreflectorofSO—called“mirrorsubstrate’’between Abstract：Usinglayer册ahighly theSiandthe Call the ofthe outof the epitaxiallayer，itimproveefficiencychip light，andbonding Canbe tobelow Au／In method．the onSi—AIGaInP temperaturedropped 300℃．By alloy experiment bonding wascarriedout．Theresultshowsthatatthe around250℃to Au／In鹪a temperature 300℃，using solder， with AlGaInP Siwafer the wafercanrealizeabetter areareachesto60％．Via bonding．the bonding thinning interface fromthemeasurementof and electron bygrinding，thebonding properties扣℃given