圆片清洗过程中静电控制 electrostatic protect in the process of silicon wafer cleaning.pdfVIP

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2017-08-17 发布于上海
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圆片清洗过程中静电控制 electrostatic protect in the process of silicon wafer cleaning.pdf

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圆片清洗过程中静电控制 electrostatic protect in the process of silicon wafer cleaning

第10卷。第10期电子与封装总第90期 Vbl．10．NO．10 20lO年lO月 ELECTRONICS＆PACKAGING (。礅；：：电×丰、}(麓．·’遣．I’与；{’可，靠I懂j …·7’≈，…√、¨’…·／圆片清洗过程中静电控制李云海，李欣燕，章文，丁荣峥 (无锡中微高科电子有限公司，江苏无锡214035) 摘要：随着半导体技术的不断发展，对集成电路封装过程中的静电控制要求也越来越高。传统清洗机清洗圆片时，通常会产生大量的静电电压，可能引起芯片失效、损伤造成漏电流增大从而导致电路的损坏。如何降低清洗机清洗圆片时产生的静电电压，对减少封装过程中因ESD引起的芯片失效有着比较重要的意义。为此我们利用高压喷雾旋转清洗机针对圆片清洗这个步骤进行了一系列的试验。文中涉及控制清洗液的电阻率，并尝试改变清洗过程中的相关清洗条件，最终达到封装过程中要求的±200V的静电控制要求。关键词：清洗；静电损伤；静电防护中图分类号：TN305．94文献标识码：A 文章编号：168l—1070(20lO)10—0028-03 ElectrostaticProtectintheProcessofSilicOnWafer Cleaning LI Yml-hai，LIXin-yan，ZHANG、)17bn，DINGR0ng—zheng 214035，劬加口) (耽xf劢D，秽删脚驴一舰^Ek加以蛔cD．，三碰，撇f ofsemiconductor of onIC Abstract：Withthe elec仃ostatic deVelopmem tectlIloIogy，therequirement protect alsobecomesmore锄dmorestrict．TraditionalcIe蚰er siliconwaferwill in packaging cleaning alwaysbring electrostatic will causedefectoreVen toreduceelec仃ostatic voltage．HoweV盱ite鹊ily chip damage．How in wafefhaSa the ofcleaner silicon ondecreasedef．ect the Voltageprocess cleaning greatmeaning chip dllring caused weredoneinthis theresist锄tofthe assemblyprocess byESD．Experiments paperbycontmlling waterwiththe wafercleanerwhichhas of conditionwasalso cleaning cycling highpressurespmy．