圆片直接键合界面表面能测试研究 measurement of surface energy for wafer direct bonding.pdfVIP

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2017-08-17 发布于上海
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圆片直接键合界面表面能测试研究 measurement of surface energy for wafer direct bonding.pdf

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圆片直接键合界面表面能测试研究 measurement of surface energy for wafer direct bonding

《半导体光电》2008年6月第29卷第3期廖广兰等：圆片直接键舍界面表面能测试研究圆片直接键合界面表面能测试研究廖广兰1，王美成1，史铁林1’2，史玉平1，汤自荣2，聂磊1 摘要：基于裂纹传播扩散法，研究了键合圆片的表面能计算方法，推导出包括圆形、矩形、三角形等形状样品的平均表面能计算公式，并应用于硅片直接键合的表面能计算。应用实例表明，上述公式能方便地计算出键合圆片的平均表面能，实现对键合质量的检测和评估，进而可以指导和优化圆片直接键合工艺。关键词：圆片键合；界面；裂纹传播扩散；表面能；测试中图分类号：TN432 MeasurementofSurface forWaferDirect Energy Bonding LIAo Tie—linl”，SHI Leil Guang—lanl，WANGMei—chen91，SHI Yu—pin91，TANGZi—ron92，NIE (1．State of and of KeyLaboratoryDigitaJManufacturingEqHipment1khnolo酣，Huazh伽gUnive峭ityScjenceR圮hnoJo灯， Wuhan 430074，CHN；2．WuhanNational for 430074，CHN) Laboratoryopt∞lectronics，Wuhan Abstract：Basedonthe method， ofsurface for crack—openinganalyticalexpression energy bondedwaferswasstudied．Thecalculationformulasof surface for average energyround， and were andthensurface ofsilicondirect rectangle deduced， trianglesamples energy bonding wascalculated．The formulawere in forreal and surface measurement theory applied energy silicondirect Itfollowstheresultsthataconvenientmethodforsurface detection bonding． energy ofwaferdirect is andevaluationforwaferdirect willberealized， bondingprovided， bonding whichcan and thewaferdirect guideoptimize bondingprocess． words：wafer surface Key bonding；interface；crack—op