天津大学 半导体物理 课件 第六章.pptVIP

第六章 pn结 主要研究内容： 电流电压特性 电容效应 击穿效应 6.1 pn结及能带图 6.1.1pn结的形成与杂质分布 1.合金法（突变结） 2.扩散法（缓变结） 线性缓变结 , αj杂质浓度梯度 6.1.2空间电荷区 p型半导体与n型半导体接触面，漂移运动与扩散运动达到平衡，形成稳定的空间电荷区，宽度保持不变。称为热平衡态下的pn结。 6.1.3 pn结能带图 可得 因为 所以 则 而本征费米能级的变化与电子电势能的变化一致，所以 带入上式得 或 同理可得 或 对于平衡pn结，电子电流和空穴电流均为0，因此 当电流密度一定的时候，载流子浓度大的地方，EF随位置变化小；载流子浓度小的地方，EF随位置变化大。 6.1.4pn结接触电势差 平衡pn结的空间电荷区两端间的电势差VD称为pn结的接触电势差或内建电势差，qVD称为pn结的势垒高度。 对于非简并半导体，n区和p区的平衡电子浓度 两式相除取对数得 因为 所以 VD与pn结两边的掺杂浓度、温度和材料的禁带宽度有关。 室温下 硅：VD＝0.7V， 锗：VD＝0.32V。 6.1.5pn结的载流子分布 取p区电势为0，势垒区内一点x的电势V(x)，对应电势能为E(x) = -qV(