栅极电阻对igbt dudt和didt的影响分析 analysis of the effects of igbt gate resistance on dudt and didt.pdfVIP
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栅极电阻对igbt dudt和didt的影响分析 analysis of the effects of igbt gate resistance on dudt and didt
第46卷第12期 电力电子技术 V01.46,No.12
2012
2012年12月PowerElectronics December
栅极电阻对IGBTduldt和dildt的影响分析
张红卫1,王富珍1,高 勇2,杨 媛2
(1.西安永电电气有限责任公司,陕西西安710016;
2.西安理工大学,自动化与信息工程学院,陕西西安710048)
摘要:在IGBT关断过程中,过大的du/dt和di/dt将会引起器件的过电流和过电压,从而损坏器件。为了控制
IGBT的开关特性,通常在栅极串联电阻,其大小与d“,df和di/dt有直接关系。传统观点通常误认为串联电阻
越大,关断过程中du/dt和di/dt越小。针对此问题,基于IGBT器件关断过程的物理机理对栅极串联电阻与
反而会增大。通过对不同电压等级的IGBT器件进行测试,发现测试结果与理论分析一致。因此,选取合适的
串联电阻对IGBT的安全使用至关重要.否则有可能因为过大的du/dt或di/dt而导致器件失效。
关键词:晶体管;栅极电阻;电压变化率;电流变化率
中图分类号:TN32 文献标识码:A 文章编号:1000一100X(2012)12一0052—03
ofthe of
AnalysisEffectsIGBTGateResistanceondu/dtandm/出
ZHANG Fu—zhenl,GAO Yuan2
Hong—weil,WANG Yongz,YANG
Electric
(1.Xi’anYongaian Co.,Ltd,Xi’an710016,China)
theshutdown of di/dtwillcauseover—
Abstract:In insulated du/dtand
process gatebipolartransistor(IGBT),large
currentand thedevice.Inordertocontrolthe characteristicsof
over-voltage,therebydamaging switching IGBT,usually
resistanceisconnectedtothe in thevalueoftheseriesresistanceaffectsthevalueofdu/dtanddi/
gateseries,and
traditionalviewoftenbelieves that seriesresistanceis di/dtanddu/dtare
the
dtdirrecdy,The mistakenly bigger,the
smaller.Inordertosolvethis Offthe ofIGBTshutdown
mechanism
problem,basedphys
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