栅极电阻对igbt dudt和didt的影响分析 analysis of the effects of igbt gate resistance on dudt and didt.pdfVIP

栅极电阻对igbt dudt和didt的影响分析 analysis of the effects of igbt gate resistance on dudt and didt.pdf

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栅极电阻对igbt dudt和didt的影响分析 analysis of the effects of igbt gate resistance on dudt and didt

第46卷第12期 电力电子技术 V01.46,No.12 2012 2012年12月PowerElectronics December 栅极电阻对IGBTduldt和dildt的影响分析 张红卫1,王富珍1,高 勇2,杨 媛2 (1.西安永电电气有限责任公司,陕西西安710016; 2.西安理工大学,自动化与信息工程学院,陕西西安710048) 摘要:在IGBT关断过程中,过大的du/dt和di/dt将会引起器件的过电流和过电压,从而损坏器件。为了控制 IGBT的开关特性,通常在栅极串联电阻,其大小与d“,df和di/dt有直接关系。传统观点通常误认为串联电阻 越大,关断过程中du/dt和di/dt越小。针对此问题,基于IGBT器件关断过程的物理机理对栅极串联电阻与 反而会增大。通过对不同电压等级的IGBT器件进行测试,发现测试结果与理论分析一致。因此,选取合适的 串联电阻对IGBT的安全使用至关重要.否则有可能因为过大的du/dt或di/dt而导致器件失效。 关键词:晶体管;栅极电阻;电压变化率;电流变化率 中图分类号:TN32 文献标识码:A 文章编号:1000一100X(2012)12一0052—03 ofthe of AnalysisEffectsIGBTGateResistanceondu/dtandm/出 ZHANG Fu—zhenl,GAO Yuan2 Hong—weil,WANG Yongz,YANG Electric (1.Xi’anYongaian Co.,Ltd,Xi’an710016,China) theshutdown of di/dtwillcauseover— Abstract:In insulated du/dtand process gatebipolartransistor(IGBT),large currentand thedevice.Inordertocontrolthe characteristicsof over-voltage,therebydamaging switching IGBT,usually resistanceisconnectedtothe in thevalueoftheseriesresistanceaffectsthevalueofdu/dtanddi/ gateseries,and traditionalviewoftenbelieves that seriesresistanceis di/dtanddu/dtare the dtdirrecdy,The mistakenly bigger,the smaller.Inordertosolvethis Offthe ofIGBTshutdown mechanism problem,basedphys

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