长波长vcsel结构中的欧姆接触工艺 ohmic contacts technology in long-wavelength vcsel structure.pdfVIP

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2017-08-17 发布于上海
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长波长vcsel结构中的欧姆接触工艺 ohmic contacts technology in long-wavelength vcsel structure.pdf

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长波长vcsel结构中的欧姆接触工艺 ohmic contacts technology in long-wavelength vcsel structure

‘半导体光电》2007年lo月第z8卷第5期羽成：长波长VcsEL蛄构中的欧姆接触工艺长波长VCSEL结构中的欧姆接触工艺刘成“2，曹春芳1，劳燕锋1，曹萌1，吴惠桢1 1．中国科学院上海徽系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验查．上海20∞50 2．中国科学院研究生院，北京100039) 摘要：简要叙连了欧姆接触工艺在长波长垂直腔面发射激光嚣(VCSEL)制作中的重要作阻值可达6．49×10_5n·cm2。将此工艺结果应用于1．3umVCSEL结构中，发现其开启电压和串联电阻显著减小。关键词：垂直腔面发射激光器≠欧姆接触；比接触电阻；快速退火中图分类号：TN248．4 0hmic in VCSELStructure CoⅡtacts．11echnoIogyLong_wavelength LIU Hu卜zhenl Chen91”，CAoChun—fa“91，LAOYan_fen91，CAOMen91，WU Lab．0f Materiabfor 0f FuⅡcti蚰al I璐titukMicr皑ystem蚰d (1．Stite-“y InforⅢatia．Sha呜h丑i Informnti栅1khnoIo封． The ofohmiccoⅡtacts in Abst憎ct： long-wavelength imPortantapplication techn0109y laser(VCSEL)i3introduced．Circulartransmission1inemodel vertical_cavitysurface_emitting (CTLM)isusedtomeasurethecontactcharacterizationbetween矿InGaAsP／InPandT卜Au．1tis foundthat isfonned Ti—Auafter Ohmiccontact and betwee“p_InGaAsPhigh-temperaturerapid the contact canreach thermal lowest resistance 6．49×10—5Q·cm2．The annealing，andspecific threshoIdandseriesresistanceofthe VCSELstructurewhich the voltage 1．3”m adopted ohmiccontacts arereduced oPtimized techn0109y significantly． contact themal Keyword3：VCSEL}ohmiccontactsfspecific resistance；rapidannealing 1引言中扮演着极其重要的角色，好的欧姆接触特性能够