长波长锗硅光电探测器的材料生长研究 research on material growth of long wavelength sige photodectors.pdfVIP

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2017-08-17 发布于上海
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长波长锗硅光电探测器的材料生长研究 research on material growth of long wavelength sige photodectors

工艺技术与材料 nDoe鹊Ted】ni讲∞a耐Mm砌s 长波长锗硅光电探测器的材料生长研究李欢，牛萍娟，李俊一，张宇，王伟 (天津工业大学信息与通信工程学院，天津300160) 摘要：介绍了应变siGe层的特性，包括siGe应变层l临界厚度与Ge组分的关系，能带变窄，折射率增加以及应变siGe层的亚稳态特性。然后从材料生长方面入手，提出了4种改善长波长锗硅光电探测器性能的方案，包括采用生长缓冲层来减小住错的方法、生长高组分表面起伏多量子阱的方法和生长Ge岛超晶格的方法，随之给出了相关的实验结果，并时这4种方案进行了分析。最后对上述内容进行小结，并对Ge量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景进行了探讨与展望。关键词：锗硅；探测器；应变层中图分类号：TN304文献标识码：A Research伽MaterialGro叭hof SiGePhotodect0璐 LoⅡg WaVel钮gth U Wei Huan，NIU Yu，WANG Pin哥juan，UJun-yi，ZHANG (胁0f 0，如抽n曲硫n耐comm矾妇如n 300160舶打m) E嚼n酏哪，m嘶岛b钯c屯也‰砒毋，zY唧n Abs柏ct：ChaI扯te打鲥csofsiGestrain tllerelationbetweencdtjcal layers越desc订bed，including tllicknes80fsi(kstrain 8ndGe narmwed increased他fr习啦tiveind既 co“lposition，Ihe l印ers ene啦Tband，the 卸dthemetasIablest砒e0f strain ordert0 0f SiGe SiGe 18”r8．In i“lproveth。pedbⅡnal】cephotodete(：tor，four methodsfocusedonthe ofSiGemtedalare bIlfrer tomduce gmwt|I putforward，such船growi“glayers 8udhce aIlds disloc砒ion，gr0埘nghi曲conlpositionnuctu砒io瑚mllltipl8quant岫we】l， gr0埘“g(k；8l t11e results f如r a1)ove s“ped州ce，锄d last，the expe五ⅡlentalaIe画nen．Themetllod8棚陀明alyzed．At conte