金属化薄膜电容器损耗的理论分析20111226.docVIP

金属化薄膜电容器损耗的理论分析 安徽工业职业技术学院 王振东 内容提要:本文通过对金属化薄膜电容器损耗的理论分析研究，建立损耗分析模型，尤其是金属部分损耗分析模型的建立,为实际生产中确定影响金属化薄膜电容器损耗的主要工艺因素,找出降低或稳定金属化薄膜电容器损耗有效措施提供理论支持. 关键词: 电容器损耗 理论分析模型 金属部分损耗 引言： 金属化薄膜电容器是电子整机和电器、电力设备必不可少的基础元件。随着电子工业和信息技术的高速发展，金属化薄膜电容器的市场需求量愈来愈大。高科技的应用和发展，对金属化薄膜电容器的品种、技术性能、可靠性水平、结构形状和几何尺寸及使用安全性提出了愈来愈苛刻的要求，促使企业必须从低档电容器向高档电容器发展。 国际市场上高档电容器供不应求，低档普遍电容器供过于求，其中损耗是影响电容器档次高低的主要因素，金属化薄膜电容器品质等级同样受损耗（损耗角正切）的影响最大，开展金属化薄膜电容器损耗的理论和工艺研究、提高电容器的制造水平和产品升级是企业面临的共同课题，具有广泛的经济和社会价值。 1.金属化薄膜电容器损耗的组成 金属化薄膜电容器的损耗主要由介质和金属损耗组成）：对于PE膜，；对于PP膜，～。 2.辅助介质损耗（）：指浸渍包封的环氧树脂漆引起的附加损耗，只要材料及工艺正确，该项可略。 1.2漏导损耗 金属化薄膜电容器的漏导损耗是由漏导电阻引起的，漏导电阻由体积漏导电阻和表面漏导电阻组成。主要取决于电容器的绝缘电阻，只要工艺合理，不会小于，且随频率的升高而降低。如金属化聚丙烯薄膜电容器(CBB类)采用聚丙烯薄膜为介质，该薄膜属非极性材料，漏导损耗很小,可忽略不计。 1.3 金属损耗 金属损耗即金属部分损耗，取决于电极与其引线之间的接触电阻及金属蒸镀层的方块电阻。 式中：为工作频率，为电容量，为电极内阻以及电极与其引线之间的接触电阻之和。 2.金属化薄膜电容器损耗的理论分析模型 金属化薄膜电容器损耗角正切的组成: 图2.1 金属化电容器芯子剖面图 （2-1） 式中: -----主介质损耗角正切值 -----辅助介质(包括环氧料和外部保护结构介质)损耗角正切值 ------漏导损耗角正切值 ------金属部分损耗角正切值 --------主介质的电容量 --------辅助介质的电容量 -------主辅介质的总电容量 -------测试频率 ------漏导电阻 -------金属部分电阻 等效电路图如下: 图2.2 金属化芯子等效电容图 对于金属化薄膜电容器,一般情况下,最大不超过几百,可视远大于,则,。 （2-2） 漏导损耗：由于＞1010Ω 相对很大，故0，该项可略。 上式简化为: （2-3） 等效电路图如下: 图2.3 金属化电容器等效电路图 分析：损耗取决于金属化薄膜介质的本身，它主要是由介质本身的性质所决定的，在实际生产过程中，除选择品质优良的金属化薄膜介质外，无更多的办法降低。因此，在介质材料确定的条件下，降低或稳定金属化薄膜电容器损耗主要取决于金属部分的损耗，虽然金属部分的损耗约占的5～10%，但却是最主要的影响因素。 3. 金属化薄膜电容器金属部分损耗的理论分析模型 3.1 金属部分损耗的组成 在金属化薄膜电容器生产过程中只要原材料质量保证，介质损耗、漏导损耗则相对不变，可视为一常数。由此可见金属化薄膜电容器的损耗角正切值变化是金属部分损耗变化引起的，且。 金属部分损耗包括以下四部分，即引出线的损耗、极板(电极电阻)的功率损耗、喷金层与电容器芯体端面之间的桥接电阻和引线与喷金层之间的焊接电阻四部分组成。即。 其等效电路图如下： 图3.1 的组成等效电路图 3.2 引出线的损耗 金属化薄膜电容器引出线的损耗可表示为： 金属化薄膜电容器工作在直流或脉动电路中，引出线的等效电阻是很小的，其损耗功率也很小，故引出线的损耗可忽略。 尽管如此，为了把引出线电阻造成的影响减到最小，需对作为电极的引出线加以分析： 金属化薄膜电容器的引出线通常采用0.5mm、0.6mm、0.8mm的镀锡铜包钢线(CP线)，其截面图如下： 图3.2 引出线(CP线)的剖面图 因电极的导电层集中靠近引出线的外层，即如上图所示的铜包层的位置。为减小引出线的电阻，根据电阻定律，需减小引出线的电阻率，由于，根据电流的集肤效应，电流集中在引线外层，故采用了铜包层，以增加引出线的导电能力；为了提高引出线与喷金层和外部电路连接的焊接能力，采用了镀锡层用以提高引出线的可焊性；为进一步减小电阻值还需尽可能地采用大截面和尽可能短的引出线。 3.3极板的损耗