半导体激光器改进电路模型的大信号验证.pdfVIP

第37卷 第 1期 电 子 器 件 Vo1．37 No．1 2014年2月 ChineseJournalofElectronDevices Feb．2014 LargeSignalVerificationofanImprovedCircuitModelforSemiconductorLasers TIANXuenong，GAOJianjun (1．~llegeofElectronicandInformationEngineering，SuzhouUniversityofScienceandTechnology，SuzhouJiangsu215009，China 2．SchoolofInformatoinScienceandTechnology，EastChinaNormalUniversity，Shanghai200241，China) Abstract：Animplementationofanimprovedcircuitmodelofsemiconductorlaserswhichcanmodelthereflection coemcientmoreaccurately ispresentedand thecomparisonbetween the improved modelandtheconventional counterpartismade．rIh’eSDD(SymbolicDefinedDevices)componentinADS(AdvancedDesignSystems)isused andthetransformation oftherateequationsistaken to improvetheconvergenceofthe mode1．Thereflection coemcientofthe 1asersissimulatedwith themodelunder differentbiasconditionsand iscompared with the experimentalresults．Th eaccuracyoftheimprovedmodelisfirsttimeverifiedinlargesignalsimulation． Keywords：circuitmodel；semiconductorlasers；rateequations：convergence EEACC：6140 doi：10．3969／j．issn．1005-9490．2014．01．014 半导体激光器改进 电路模型的大信号验证术 田学农 ，高建军 (1．苏州科技学院电子与信息工程学院，江苏 苏州 215009；2．华东师范大学信息科学技术学院，上海200241) 摘 要 ：实现了一种可 以对于反射系数进行精确建模 的半导体激光器电路模型并且与传统模型进行了比较。在 ADS (AdvancedDesignSystems)中使用了SDD(SymbolicDefinedDevices)器件实现，对于速率方程进行了变形以改进模型的收敛 性，该模型可用于大信号仿真。对于不同偏置条件下的半导体激光器的反射系数进行了仿真并且和测量结果进行了对比。 首次在大信号仿真中验证了改进模型的精确性。 关键词 ：电路模型；半导体激光器；速率方程；收敛性 中图分类号：TN248．4 文献标识码：A 文章编号：1005—9490(2014)01—0055—04 Modelingofsemiconductorlasersiscrucialforthe ofthereflection coe伍cientatlow ~equency domain designers ofopto—electrical systemssuch asradioover agree better with the measurement results than fiberlinks[_3] ． Vari