现代电力电子技术(理论) 3-snubber.pptVIP

* 第三章 开关过程与缓冲技术 §3-2 有损缓冲电路 电感电流断续的缓冲电路 §3-3 无损缓冲电路 电感电流连续的缓冲电路 §3-1 开关损耗与器件应力 关断缓冲电路 开通缓冲电路 §3-1 开关损耗与器件应力 总损耗P = 导通损耗Pon + 阻断损耗Poff + 开关损耗 Ps （ Ps=40~80%P) 延迟时间— Is小， 可略 上升时间 存储时间— Us小，可略 下降时间 Ps 上升时间tup 下降时间tdo 一般 80% GTR MOSFET IGBT §3-1 开关损耗与器件应力 每周期损耗 开关功率损耗 开关轨迹 电阻负载 容性负载 开通过程 感性负载 关断过程 安全 ON ：限制di/dt —开通/串联缓冲； OFF：限制du/dt —关断/并联缓冲； 降低（转移）S损耗，改变开关轨迹。 缓冲电路 （Snubber Circuit） 有损缓冲电路 无损缓冲电路 部分开关损耗转移到缓冲电路 电流、电压、热 应力 Stress §3-2 有损缓冲电路 （感性负载含有L滤波） 1 iL断续时的缓冲电路 τ= L/RTs 大 → 二次击穿 小 → 不击穿 Em（LIcs2/2）消耗于T、RC 峰值 加续流管 由UR、线路电感、体电感决定 反向充电 建立势垒 关断过程： 开通过程： 功率二极管动态特性 加续流管 tRR 允许短路