第六章第二节集成运放的性能参数及其对应用电路的影响.pptVIP

第二节 集成运放的性能参数———及其对应用电路的影响 满足电阻平衡条件 所以 此式表明： （1）、若R2 为大值，即满足 VIO IIOR2 时，IIO 起主要作用，因此，为了减小Δvo ，应选用IIO 小的集成运放。 （2）、若R2 为小值，即满足 VIO IIOR2 时，VIO 起主要作用，因此，为了减小Δvo ，应选用VIO 小的集成运放。 6.2.3 高频参数对性能的影响 一、小信号频率参数 如上一章所述，采用内补偿的集成运放可近似看成为一单极点系统，它的差模电压增益表示为 (6-2-9) * * 一、集成运放性能参数： 1、差模特性 差模特性：是指集成运放在差模输入信号作用下，所呈现的特性，相应的集成运放的电路模型如图所示。 根据电路模型可知 其值在80~140dB(104~107倍) 差模输入电阻Rid，指集成运放两输入端之间呈现的视在电阻，MΩ数量级。 MOS集成运放Rid ，一般为106 MΩ 。 Rod 为输出电阻，一般在200Ω一下。 一般情况下，上述各参数均为频率的复函数，分别表示为：Avd(jω) 、Zid(jω) 、Zod(jω) 。 最大的差模输入电压范围 VIDM ：是指输入差分对管发射结不产生反向击穿所能承受的最大输入电压。 2、共模特性 共模特性：是指集成运放在共模输入信号作用下呈现的特性，属于这一类特性的参数主要为，共模抑制比 KCMR ，共模输入电阻 Ric 和最大的共模输入电压范围 VICM 。计入共模参数后的电路模型，如图所示： 根据定义有： 所以 可将上是折算到输入端，根据第183页（4-423式）已知： 作为输入误差电压，则电路模型可等效为： 式中 可表示为： 其值为：80~120dB(104~107)之间 。 Ric 是集成运放输入端对共模输入信号的视在电阻，即每一个输入端对地呈现的电阻，其值大于100MΩ。 VICM 、KCMR 、Ric 均为频率的复函数。 3、输入直流误差特性 输入直流误差特性：是指集成运放的输入失调特性，主要参数是输入失调电压VIO及其温漂αVIO ；输入失调电流IIO 及其温漂 αIIO ，计入这些参数后，电路模型则等效为： 图中 为输入差放极两边输入偏置电流平均值。（10~100）μA VIO 是输出失调电压为零时，两输入端之间所加的补偿电压，其值一般为mV量级。 是指 VIO 随温度的变化率。 IIO 是输出失调电流为零时，两输入端之间所加的补偿电流，其值一般为量输入端的差值。即： 是指 IIO 随温度的变化率。 4、大信号动态特性 大信号动态特性：是指集成运放在大信号的作用下呈现的动态特性。其主要参数为转换速率 SR 及全功率带宽 Bωp等。 五、电源特性 属于这类特性的参数主要有： 电压允许的变化范围 电源电压抑制比(Power Supply Rejection Ratio)KSVR是指输入失调电压随电源电压的变化率，定义为 常用分贝数表示，即 电源静态功率，定义为 二、直流和低频参数对性能的影响 通常集成运放为非理想器件，因此，有在直流和低频工作时，不仅其增益和输入电阻不为无穷大，输出电阻也不为零，而且还存在着输入失调和有限共模抑制比等引入的输入误差。 因此，在分析各种应用电路时，得到的结果与理想化条件下得到的结果稍有不同。 1、Avd 、Rid 、Rod 为有限值得影响： 根据选取得电路可以不考虑 KCMR 、输入失调等参数的影响，例如、反向放大器，可仅考虑Avd 、Rid 、Rod 影响。 画电路模型 vo Rf R1 vs RL 根据电路模型列方程： 求解方程组得： 式中 为非理想值 为理想值 此式，表明当 Avd 、Rid 、和 Rod 为有限值时，反相放大器的增益 Avf 与理想值 Avf =-Rf /R 1 之间的偏差与 Avd 的大小密切相关， Avd 越大， Avf 就越趋近于理想值Avf 。 实际上，从反馈观点来看， Avd 越大，放大器就越接近深度负反馈， A‘vf 就越接近Avf ，同时，放大器的输入电阻Rif 和输出电阻Rod 也就越趋于零，在这种情况下，由信号源看进去的输入电阻即为外接电阻 R1 。 可见，对反相放大器性能影响最大的是Avd ，相比之下Rid 和 Rod 的影响是次要的。 2、KCMR 、Ric 为有限值的影响 选用同相放大器为例，考虑到 Rod 很小，因此可忽略。 画电路模型 vo Rf R1 vs RL 已知 对与电路来说 所以 由于v+ 十分接近于v- 所以有： 根据电路模型可知： 已知 为同相放大器的理想增益值。 则 经整理得： 令 所以 由此可知，当 Avd 为