电力电子问答题题.doc

（晶闸管，电力电子器件） 简答 1、晶闸管的导通条件、关断条件、如何使导通的晶闸管关断、维持导通的条件 导通条件：在晶闸管阴阳两极之间和门极上加上正向电压，产生足够大的门极触发电流Ig，则晶闸管导通。 关断条件：使流过晶闸管的电流减小至接近于零的某一值以下。 关断方式：减小阳极电压、增加负载阻抗、加反向电压 维持导通的条件：阳极电流大于维持电流 说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点 绝缘栅双极晶体管IGBT：（1）优点：开关速度快、开关损耗低、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小（2）缺点：开关速度低于电力效应晶体管、电压、电流容量不及GTO 电力晶体管GTR:（1）优点：开关特性好、饱和压降低、通流能力强、耐压高（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、存在二次击穿问题 门极可关断晶闸管GTO：（1）优点：通流能力强、电流、电压容量大、具有电导调制效应（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、开关频率低 电力场效应管MOSFET（1）优点：开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单、热稳定性好（2）缺点：电流容量小、耐压低 3.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？ 答：（1）GTO在设计时，a2较大，这样晶体管v2控制灵敏，易于GTO关断； （2）GTO导通时a1+a2的更接近于1，普通晶闸管a1+a2≥1.5，而GTO则为约等于1.05，GTO的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制提供了有利条件； （3）多元集成结构每个GTO元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得p2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。 （整流、逆变） 简答 1、什么是可控整流?它是利用晶闸管的哪些特性来实现的? 答：将交流电通过电力电子器件变换成大小可以调节的直流电的过程称为可控整流。 可控整流主要利用了晶闸管的单向可控导电特性。 2、带平衡电抗器的双反星形可控整流电路与三相桥式全控整流电路相比有何主要异同？ 答：带平衡电抗器的双反星形可控整流电路与三相桥式全控整流电路相比有以下异同点： ①三相桥式电路是两组三相半波电路串联，而双反星形电路是两组三相半波电路并联，且后者需要用平衡电抗器； ②当变压器二次电压有效值U2相等时，双反星形电路的整流电压平均值Ud是三相桥式电路的1/2，而整流电流平均值Id是三相桥式电路的2倍。 ③在两种电路中，晶闸管的导通及触发脉冲的分配关系是一样的，整流电压ud和整流电流id的波形形状一样。 3、整流电路多重化的主要目的是什么？ 答：整流电路多重化的目的主要包括两个方面，一是可以使装置总体的功率容量大，二是能够减少整流装置所产生的谐波和无功功率对电网的干扰。 4、逆变的定义？什么是有源逆变，什么是无源逆变？有源逆变的基本条件？什么是逆变失败？逆变失败的原因？后果？如何防止逆变失败？ 逆变：把直流电转变成交流电，对应于整流的逆过程，称为逆变。 有源逆变：把直流电能转变成交流电能直接输送给交流侧的电网 无源逆变：把直流电能转变成交流电能直接输送给交流侧的负载 有源逆变的条件：①直流侧要有电动势，其极性须和晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流电路直流侧的平均电压；②要求晶闸管的控制角απ/2，使Ud为负值 逆变失败：逆变运行时，一旦换相失败，外界直流电源与晶闸管电路形成短路，或者变流器输出电压平均值与直流电动势形成串联，而逆变电路的阻抗较小，会形成很大的短路电流，这种情况称为逆变失败 原因：触发电路不可靠、晶闸管损坏、电源缺相、换相裕量角不足 后果：会在逆变桥和逆变电源之间形成强大的环流，损坏器件 防止：采用精确可靠的触发电路，使用性能良好的晶闸管，保证交流电源的质量，留出充足的换向裕量角β等 5、单相桥式全控整流电路、三相桥式全控整流电路中，当负载分别为电阻负载或电感负载时，要求的晶闸管移相范围分别是多少？ 答：单相桥式全控整流电路，当负载为电阻负载时，要求的晶闸管移相范围是0 ~ 180(，当负载为电感负载时，要求的晶闸管移相范围是0 ~ 90(。 三相桥式全控整流电路，当负载为电阻负载时，要求的晶闸管移相范围是0 ~ 120(，当负载为电感负载时，要求的晶闸管移相范围是0 ~ 90(。 6、无源逆变电路和有源逆变电路有何不同？ 答：两种电路的不同主要是：有源逆变电路的交流侧接电网即交流侧接有电源。而无源逆变电路的交流侧直接和负载联接。 （换流、逆变） 1、换流方式各有那儿种？各有什么特点？ 答：换流方式有4种： 器件换流：利用全控器件的自关断能力进行换流。全控型器件采用此换流方式。 电网换流：由电网提供换流电压，只要把负的电网电压加在欲换流的器件上即可。