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名词解释 1.碳膜电阻：在陶瓷架表面上沉积成碳结晶导电膜。 2.机械零位电阻：当电位器的滑动端处于机械零位时，滑动端与一个固定端之间的电阻应该 是零 。 3.独石电容器：是用钛酸钡为主的陶瓷材料烧结制成的多层叠片状超小型电容型。 4.品质因数：电感线圈中储存能量与消耗能量的比值 5.中周：中频变压器又称为中周 6.整流二极管：利用单向导电性把交流电变成直流电。 7.带阻尼三极管：将三极管与阻尼二极管、保护电阻封装为一体构成的特殊三极管。 8.达林顿管：将两只三极管或更多只三极管集电极连在一起，而将第一只三极管的发射极直接耦合到第二只三极管的基极，依次级联而成。 9.绝缘栅型场效应管：由金属、氧化物和半导体组成。 10.门极可关断晶闸管：PNPN四层结构，外部引出三个极，阳极，阴极和门极。 11.半导体集成电路：在采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、三极管、二极管等元件并具有某种功能的集成电路 12.膜集成电路：是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上，以“膜”的形式制作电阻、电容等无源器件 13.焊盘：通过覆铜箔进行处理而得到的元器件的连接点 14.丝印层：在PCB的阻焊层上印出文字与符号（大多是白色）层面，由于采用丝印的方法， 故称丝印层 15.浸润：是发生在固体表面和液体之间的一种物体现象 16.结合层:焊料在浸润过程中，焊料和焊件的界面有扩散现象发生，其结果是在二者界面上形成的一种新的金属合金层，称为结合层 17.焊剂：又称为钎剂，焊接时，能够熔化形成熔渣和气体，对熔化金属起保护和冶金处理作用的一种物质 18.镀锡：用液态焊锡将被焊金属表面浸润，形成一层既不同于被焊金属又不同于焊锡的结合层 19.立碑现象：再流焊中，片式元件经常出现力气现象，称为立碑，又称为吊桥、曼哈顿现象 20.BGA:球栅阵列封装，是集成电路采用有机载板的一种封装法 21.工艺文件：根据设计文件，图纸及生产定型样机，结合工厂实际而制定出来的文件。 第一章 电阻器的主要技术指标：标称阻值、额定功率、允许误差等级 2.熔断电阻：这种电阻又叫保险电阻，兼有电阻和熔断器的双重作用。 3.水泥电阻：是封装在陶瓷外壳里，并用水泥填充固化的一种线绕电阻。 4.电位器也叫可调电阻器，主要技术指标：标称阻值、额定功率、滑动噪声、分辨力、机械零位电阻、阻值变化规律 5.几种常用的电位器： （1）线绕电位器：将电阻丝缠绕在涂有绝缘物的金属或非金属的条板上，再用专用工具将其弯成环型，装入基座内，配上带滑动触点的转动系统，则构成线绕电位器。 优点：接触电阻低，精度高，温度系数小。缺点：分辨力较差（阻值呈阶梯变化），可靠性差，不适于高频电路。阻值100欧 （2）合成碳膜电位器：是用配置好的悬浮液涂抹在胶脂板或玻璃纤维板上制成的电阻体，能制成片状的半可调电位器、结构较复杂的带开关电位器和精密电位器。 优点：阻值连续可调，分辨力高；阻值范围宽(几百欧? 几兆欧)；易于制作成符合需要的电阻规律。价格便宜，品种齐全。缺点：功率不能太高，一般做到2 W，否则体积太大；黏合剂是有机物，耐温耐湿性能较差。 （3）有机实心电位器：用有机黏合剂将碳质导电物、填料均匀混合构成电阻体材料，连同引出端和绝缘的塑料粉压制后加热聚合而成。 优点：阻值连续可调，分辨力高（大大优于线绕电阻）； 阻值范围宽(100 欧~4.7 M?)；体积小，耐磨、耐热性能好。缺点：温度稳定性较差。 （4） 多圈电位器：属于精密电位器，调整阻值需使转轴旋转多圈，精度高。 （5）导电塑料电位器：电阻体由碳黑、石墨和超细金属粉、邻苯二甲酸二丙脂树脂（DAP树脂）和交联剂（DAP单体）塑压而成。优点：电阻率比一般电阻体大 3 ~ 4 个数量级。特别耐磨，寿命可达500万次；制作工艺简单，分辨力高，平滑性良好，接触可靠。阻值范围宽(10欧~ 1 M?)，工作温度范围–55 ~+125 oC （6）数字电位器：是采用半导体技术制作的集成电路。 优点：尺寸小、功耗低、温度系数小。易失和非易失配置，即掉电后恢复原始状态和保持掉电前状态。接口方式灵活多样，有脉冲增减式和I2C、SPI等计算机接口形式。有的数字电位器（数字电阻）有一个高阻抗选项，使这些电位器还具有开关功能。 6.瓷介电容器（CC）：用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属（银）薄膜，再经 高温烧结后作为电极而成。优点：1 类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。2、3 类瓷介电容器其特点是材 料的介电系数高，容量大（最大可达0.47 μF)、体积小 、 损耗和绝缘性能较 1 类的差。 7.涤纶电容器（CL）：涤纶电容器，是用有极性聚脂薄膜为介质制成的具有正温度系数（即温度升高时，电容量变大）的无极性电容。优点：耐高温