第2.1节1.ppt

三、晶体二极管及特性 1、二极管的结构： （1）结构：晶体二极管就是一个PN结加上接触电极、引线和管壳构成。由P区引出的电极为阳极（或正极），N区引出的电极为阴极（或负极）。 （2）符号： 3、主要参数： （1）最大整流电流IF： （2）最大反向电压UR：一般UR≈UB/2 （3）反向饱和电流IS： （4）最高工作频率fM： 4、二极管选择原则： 要求反向电压高、耐温性高、反向电流小时选硅管；要求导通电压和管压降低时选锗管；当工作频率高时选点接触式；导通电流大时选面接触式。 3. PN结的反向特性 Home Next Back 反向电流： 在一定温度下，少子的浓度一定，当反向电压达到一定值后，反向电流IR 即为反向饱和电流IS，基本保持不变。 反向电流受温度的影响大。 -IS 图1.1.10 PN结的反向特性 锗管 硅管 16 4. PN结的反向击穿特性 Home Next Back 反向击穿：当反向电压达到一定数值时，反向电流急剧增加的现象称为反向击穿（电击穿）。若不加限流措施，PN结将过热而损坏，此称为热击穿。电击穿是可逆的，而热击穿是不可逆的，应该避免。 17 图1.1.11 PN结的反向击穿特性 UBR Home Next Back 反向击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。 雪崩击穿：当反向电压增加时，空间电荷区的电场随之增强，使通过空间电荷区的电子和空穴获得的能量增大，当它们与晶体中的原子发生碰撞时，足够大的能量将导致碰撞电离。而新产生的电子-空穴对在电场的作用下，同样会与晶体中的原子发生碰撞电离，再产生新的电子-空穴对，形成载流子的倍增效应。当反向电压增加到一定数值时，这种情况就象发生雪崩一样，载流子增加得多而快，使反向电流急剧增加，于是导致了PN结的雪崩击穿。 齐纳击穿：齐纳击穿的机理与雪崩击穿不同。在较高的反向电压作用下，空间电荷区的电场变成强电场，有足够的能力破坏共价键，使束缚在共价键中的电子挣脱束缚而形成电子-空穴对，造成载流子数目的急剧增加，从而导致了PN结的齐纳击穿。 18 四. PN结的电容效应 Home Next Back 1. 势垒电容Cb 图1.1.12 势垒电容示意图 19 PN结外加电压变化，空间电荷区的宽度将随之变化，即耗尽层的电荷量随外加电压增加或减少，呈现出电容充放电的性质，其等效的电容称之为势垒电容Cb。当PN结加反向电压时， Cb明显随外加电压变化，利用该特性可以制成各种变容二极管。 2.扩散电容Cd 图1.1.13 扩散电容示意图 Home Next Back 20 PN结外加正向电压变化，扩散区的非平衡少子的数量将随之变化，扩散区内电荷的积累与释放过程，呈现出电容充放电的性质，其等效的电容称之为扩散电容Cd。 结电容Cj= Cb+ Cd 反偏时，势垒电容Cb为主；正偏时，扩散电容Cd为主。低频时忽略，只有频率较高时才考虑结电容的作用。 （3）分类： A、按材料：有硅二极管、 锗二极管之分； B、按结构：有点接触式、 面接触式。 如图所示： 2、伏安特性 （1）特性曲线：二极管的端电压U和通过它的电流I的关系。其反映了二极管的单向导电性。 曲线如图： A、正向特性：曲线① 死区电压Uon：Si管约为0.5V，Ge管略低于0.2V。 管压降UF：Si管为0.7V，Ge管0.2～0.3V。 B、反向特性：曲线② 反向饱和电流Is。（少子漂移 所形成的电流） C、反向击穿特性： 反向击穿电压UB（加限流电阻）。 四、特殊二极管： 1、稳压管（zenerdiode） 基本原理： （1）特点：由特殊工艺制成，工作在反向击穿区。 （2）符号：如图 正向特性：与普通二极管相同。 反向特性：所加反向电压小 于击穿电压UZ时，稳压管有 较大内阻，其反向饱和电流 近似为零。当所加反向电压 大于击穿电压UZ时，电流急 剧增大。 稳压特性：正常工作时，其 电流能在很大范围内变化，而 管子两端的电压基本保持不变。 稳压的条件：制造工艺加以保证，同时外电路中应有限流措施。 2、稳压管的主要参数 （1）稳定电压Uz：正常工作时的稳定电压值。 （2）稳定电流Iz：稳压效果较好时的工作电流。 （3）动态电阻r：在正常工作区的电压变化量与相应的电流变化量之比。r=?U/?I，r越小，电压稳定性越好。 （4）最大允许功耗：不发生热击穿时的最大功率。 （5）电压温度系数：当温度增加1℃时，稳压值升高的百分数。即电压随温度的相对改变量。 例如：2CW18的电压温度系数为+0.095?/℃ ，如果在20℃时的