结构缺陷-碳纳米管掺杂.ppt

Your company slogan 不完美的“管”道世界 ——简述缺陷对碳纳米管的影响 结构缺陷 目录 碳纳米管简介 1 空位缺陷对碳纳米管的影响 2 掺杂对碳纳米管的影响 3 碳纳米管的实际应用 4 碳纳米管的发现 1991年日本NEC公司基础研究实验室的电子显微镜专家饭岛(Iijima)在高分辨透射电子显微镜下检验石墨电弧设备中产生的球状碳分子时意外发现了由管状的同轴纳米管组成的碳分子,这就是碳纳米管，现在被称作的“Carbon nanotube”， 即碳纳米管,又名巴基管。 碳纳米管结构 理论分析和实验观察认为它是一种由六角网状的石墨烯片卷成的具有螺旋周期管状结构。它主要由呈六边形排列的碳原子构成数层到数十层的同轴圆管。层与层之间保持固定的距离，约为0.34nm，直径一般为2～20nm。 碳纳米管分类 按照石墨烯片的层数分类可分为 多壁碳纳米管 Multi-walled nanotubes MWNTs 单壁碳纳米管 Single-walled nanotubes SWNTs 多壁管在开始形成的时候，层与层之间很容易成为陷阱中心而捕获各种缺陷，因而多壁管的管壁上通常布满小洞样的缺陷。 单壁管是由单层圆柱型石墨层构成，其直径大小的分布范围小，缺陷少，具有更高的均匀一致性。 碳纳米管分类 碳纳米管分类 碳纳米管 扶手椅式 纳米管 锯齿形 纳米管 手型 纳米管 ??: ????? ?? 结构特征 空位缺陷对金属型碳纳米管的影响 单空位缺陷和多空位缺陷是很重要的两种点缺陷。 目前在实验上可通过电子和离子辐射人工移走碳纳米管中的碳原子而制造出空位缺陷。 空位缺陷也决定了碳纳米管的电学和力学性能，并且它可以控制基于碳纳米管的化学传感器的操作。另外，含有缺陷的碳纳米管还可作为水热分离的催化剂，由饱和悬浮键的方法来重构缺陷区域可以提供原子吸附的活性位。 掺杂对碳纳米管的影响 氮掺杂单壁碳纳米管的电子运输特性 硼掺杂单壁碳纳米管的电子运输特性 氮掺杂单壁碳纳米管 1 2 3 对碳纳米管管体网格进行取代掺杂能够大幅修改 碳管的形态和各项性能，是碳管改性研究的一个 重要方面 大量理论和实验研究表明，对碳纳米管进行掺杂是 改变碳管电子输运特性的有效途径。 掺杂方法大体上可分为管束间隙掺杂、管体网格 掺杂和管内胶囊式掺杂三个方面 硼掺杂单壁碳纳米管 硼掺杂管的合成方法直接来源于硼掺杂石墨的合成：通过对预制的单壁管管束和含硼化合物(如B2O3)进行高温(1500～1800)加热得到硼掺杂单壁碳纳米管管束。 实例 Golberg 等人用硼氧化物和单壁管束混合高温加热 (1523–1623 K)的取代反应法得到了硼浓度约为0.1at.%的掺杂单壁管。 K.McGuire等人用脉冲激光气化技术结合金属催化的方法提高了单壁碳纳米管中的硼的允许浓度，他们的结果表明单壁管中硼的浓度可以在0.5-10at.％的较大范围内变化 Blackburn等人以镍化硼(NiB)为硼源，用激光蒸发法得到高产率、高质量的硼掺杂单壁管，并用证明这些硼原子是以取代的形式存在于单壁管中 电学性能 输运性能 硼掺杂单壁纳米管性能的影响 硼掺杂单壁纳米管性能的影响分类 硼掺杂单壁纳米管的电学性能 由于硼在碳的六边形网格中取代后，体系原有的对称性遭到破坏而产生缺陷，这些缺陷在拉曼散射中会使得D带强度增加。用吸收谱和光致发光激发谱研究了电弧放电法制备的硼掺杂单壁管，发现硼掺杂对于体现的电学性能和直径分布等有显著影响。 硼掺杂纳米管的电学性能 硼掺杂后形成的缺电子结构能够稳定的将锂原子吸附住 硼原子掺杂后修改了碳管管壁的空间电荷分布，在维持碳管形态不变的情况下能够大幅提高单位面积的电容。 硼掺杂管对能够吸附多种气体分子，吸附后体系的电子结构和性能发生改变，可以作为很好的气体探测传感材料。 掺杂对电子结构的影响 (a)为O位置掺杂一个硼原子的结构变化情况。(b)为掺杂两个硼原子的结构变化情况。 硼杂质在碳管中的影响虽然有很强的局域性，但是对整体的影响也是不可忽视的。 随着杂质浓度继续升高，碳管形状的变化就更显著了。 理想(8,0)管：硼取代掺杂 Fermi能级下降 ——价电子数目——受主态和碳管的π轨道—— 发生杂化——未占据的空带——有利于电子跃迁 ——P型掺杂——典型半导体型转变为准金属型 以理想(6,0)管为副本，采取和(8,0)相同的硼掺杂模型进行输运性能研究：简并度下降---带宽降低---对金属性无显著改变---能带分布范围明显变化---简并能带分离开---费米能附近。 杂化---能带弯折---影响电子群速度 (8,0)管：总透射系数显著变化---能量维持了原