.3-2-1光电子发射探测器.pptVIP

* 直线聚焦型 直线聚焦型因其极快的时间响应而被广泛地应用于要求时间分辨和线性脉冲研究用的端窗型光电倍增管中。 * 盒网型??????? 这种结构包括了一系列的四分之一圆柱形的倍增极，并因其相对简单的倍增极结构和一致性的改良而被广泛地应用于端窗型光电倍增管，但在一些应用中，其时间响应可能略显缓慢。 * 百叶窗型 百叶窗型结构因倍增极可以较大而被用于大阴极的光电倍增管中，其一致性较好，可以有大的脉冲输出电流。这种结构多用于不太要求时间响应的场合。 * 微通道板（MCP）型　　 MCP是上百万的微小玻璃管（通道）彼此平行地集成为薄形盘片状而形成。每个通道都是一个独立的电子倍增器。MCP比任何分离电极倍增极结构具有超快的时间响应，并且当采用多阳极输出结构时，在磁场中仍具有良好的一致性和二维探测能力。 * 6.阳极 阳极作用是接收从末级倍增极发射出的二次电子，通过引线向外输出电流。对于阳极的结构要求具有较高的电子收集率，能承受较大的电流密度，并且在阳极附近的空间不至于产生空间电荷效应。 * 第三章光电探测器 3.1 光电探测器的物理基础 3.2 光电子发射探测器 3.3 光电导探测器 3.4 光伏探测器 3.5 热电探测器 3.6 光电成像器件 3.7 各类光电探测器的性能及应用比较 * 3.2　光电子发射探测器 真空光电器件是基于外光电效应的光电探测器。 滨淞光子 （Hamamatsu） R3896光电倍增管 * 真空光电器件 光电管 光电倍增管 特点：灵敏度高、稳定性好、响应速度快和噪声小。 缺点：结构复杂，工作电压高，体积大。 * 3.2.1半导体的光电子发射 1.费米能级、真空能级、逸出功 2.金属材料与半导体材料的光电子发射比较 1）反射系数小，吸收系数大； 2）光电子运动中能量损失小，补充容易； 3）存在大量发射中心； 4）逸出功小。 3.电子亲和势、半导体材料的逸出功（i，n，p） 4.半导体光电发射的三个步骤 * 3.2.2光电阴极 一、光电阴极的主要参数 1.灵敏度 光谱灵敏度：光电阴极对于一定波长辐射光的灵敏度就称为光谱灵敏度。 光照灵敏度：对于复合光(或称白光)的灵敏度就称为积分灵敏度(通常光照灵敏皮就是指积分灵敏度)。 * ２.量子效率 它表示一定波长的光子入射到光电阴极时，该阴极所发射的光电子数Ne(?)与入射的光子数Np(?)之比。也称量子产额Q(?)。 3.光谱响应曲线 ４.热电子发射： 引起暗电流和暗噪声，从而限制探测灵敏度。 * 1.银氧铯(Ag-O-Cs)光电阴极 峰值波长：350nm, 800nm 光谱响应范围约300-1000nm； 量子效率约0.5％； 使用温度100°C； 暗电流大。 二、常规光电阴极 * 2.单碱锑化物光电阴极 金属锑与碱金属锂、钠、钾、铷、铯中的一种化合，能形成具有稳定光电发射的发射体。 最常用的是锑化铯（CsSb），其阴极灵敏度最高，量子效率为15－25％，长波限为：600nm。广泛用于紫外和可见光区的光电探测器中。 3.多碱锑化物光电阴极 当锑和几种碱金属形成化合物时，具有更高的响应率。长波限可达930nm，扩展到近红外。 * 4.紫外光电阴极 通常来说对可见光灵敏的光电阴极对紫外光也有较高的量子效率。有时，为了消除背景辐射的影响，要求光电阴极只对所探测的紫外辐射信号灵敏，而对可见光无响应。 紫外光电阴极 碲化铯(CsTe, 320nm，峰值波长250nm，量子效率：12.4％) 碘化铯(CsI, 200nm，峰值波长120nm，量子效率：20％) * 三、负电子亲和势光电阴极 　　常规的光电阴极属于正电子亲和势(PEA)类型，即表面的真空能级位于导带之上。 如果给半导体的表面作特殊处理，使表面区域能带弯曲，真空能级降低到导带之下，从而使有效的电子亲和势为负值，经过特殊处理的阴极称作负电子亲和势光电阴极(NEA)。 * EA1 Eg1 Eg2 EA2 Ev1 Ec1 E0 Ec2 Ev2 Si Cs2O 对于P型Si的发射阈值是Ed1=EA1+Eg1,电子进入导带后需要克服亲和势EA1才能逸出表面。由于表面存在n型薄层，使耗尽区的电位下降，表面电位降低Ed。光电子在表面受到耗尽区电场的作用。 1.原理 * Ev1 EC1 Ef EAe E0 Ed EA2 Ev2 + + + - - - Si-CsO2光电阴极：在p型Si基上涂一层金属Cs，经过特殊处理而形成n型Cs2O。 在交界区形成耗尽层，耗尽区的电位下降Ed,造成能带弯曲。 从Si的导带底部漂移到表面Cs2O的导带底部。此时，电子只需克服EA2就能逸出表面。对于P型Si的光电子需克服的有效亲和势为 EAe=EA2-Ed 由于能级弯曲，使EdEA2,这样就形成了负电子亲和势