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椭偏技术在研究多孔低介电常数薄膜中的应用1 许金海，刘雪芹, 黄春奎 兰州大学物理科学与技术学院，兰州 （730000 ） E-mail ：xqliu@ 摘 要：多孔低介电常数（Low k ）材料有望作为集成电路互连介质的优良候选材料之一。 椭偏技术不但可以快速、简捷、无损伤的测出薄膜的光学常数和膜厚，而且还可以用来研究 多孔薄膜的微结构和机械特性，因此被广泛应用到多孔Low k 薄膜研究中。本文分别从椭 偏技术原理及其发展、椭偏技术在研究多孔Low k 薄膜微结构和杨氏模量中的应用三个方 面，归纳和分析了近年来椭偏技术在多孔Low k 薄膜研究中应用进展，并对椭偏技术在该 领域的今后研究和发展进行了展望。 关键词：椭偏技术；孔隙率；孔径分布；杨氏模量 中图分类号：O484.5；TB303；TH744.2 文献标识码：A 1. 引言 随着集成电路向高速度、高密度和多功能方向发展，集成电路中层与层间和线与线间的 间距不断缩小，此时的RC 延迟、信号串扰和功耗等问题不容忽略，严重影响了器件的性能。 [1,2] 为解决此问题，而引入Low k 材料作为互连介质来改善集成器件的性能 。 一般通过降低分子密度可有效降低材料介电常数（k ）值，即在互连介质中引入孔隙。 最近几年多孔Low k 材料成为该领域研究热点，并有望成为下一代集成电路互连介质的优 良候选材料之一。通过引入孔隙固然可降低材料k 值，但也带来负效应—机械强度的下降。 集成电路需要的互连介质既要有较低的k 值，又要满足集成工艺要求的较高机械强度。多孔 Low k 薄膜k 值和机械强度与薄膜孔隙率、孔径分布及孔的形状等微结构有关。 目前常用来研究多孔Low k 薄膜微结构的无损伤测试方法有小角度中子散射（SANS ）、 [10]、表面 小角度X 射线散射（SAXS）、X 射线反射（XRR ）、正电子湮灭寿命普（PALS ） 波 （SAW)和椭偏技术。[4，13] 椭偏技术是一种快速、无损伤、非接触、高灵敏性、高精度、可实时监控测量的光学技 术，不但可以测出多孔Low k 薄膜的光学常数、孔隙率、孔径分布和孔形状等微结构，还 可以准确的测出其杨氏模量等机械强度。本文综述了椭偏技术在研究多孔Low k 薄膜微结 构和杨氏模量中的应用进展，并对椭偏技术在该领域的今后研究和发展进行了展望。 2. 椭偏技术原理及其发展 椭偏技术是一种测量光在样品表面反射后偏振状态改变的光学方法。当一束偏振光以一 定入射角入射到薄膜表面后反射出来的光偏振态会变化，而偏振态的变化是和薄膜的结构相 关，即不同的薄膜结构（薄膜的光学常数、厚度和微结构等），会有不同的偏振态变化。因 此在入射光偏振态已知的情况下，可以根据偏振态的变化来确定薄膜的具体结构。[7] Paul Drude 在1887年首次提出椭偏理论并搭建第一套实验装置，成功测出几种金属的光 学常数[7] 。Rothen[9]在1945年首次提出“Ellipsometer”( 椭偏仪)一词。随着计算机的发展椭偏 技术实现了自动化，到1975年美国贝尔实验室的Aspnes[12]首次测出不同波长下固体材料的 光学常数，揭开椭偏光谱仪（Spectroscopic Ellipsometry，SE ）的序幕，SE 对多层膜的测量 具有更高的精确度。后来又发展了红外椭偏光谱仪、紫外椭偏光谱仪、相调制椭偏光谱仪、 1本课题得到国家自然科学基金）资助。 - 1 - [14] 成像椭偏仪和广义椭偏仪等 。随着椭偏仪的发展，最近又出现了把椭偏技术和吸附/脱附 技术相结合的椭偏测孔仪（Ellipsome