体硅double resurf器件表面电场解析模型及优化设计 an analytical model for the surface electrical field distribution and optimization of bulk-silicon double resurf devices.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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体硅double resurf器件表面电场解析模型及优化设计 an analytical model for the surface electrical field distribution and optimization of bulk-silicon double resurf devices.pdf

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体硅double resurf器件表面电场解析模型及优化设计 an analytical model for the surface electrical field distribution and optimization of bulk-silicon double resurf devices

第27卷第7期半导体学报 V01．27No．7 2006年7月 CHINESEJoURNALoFSEMICONDUCToRS Julv，2006 An ModelfortheSurfaceElectricalField Analytical and ofBulk—SiliconDoubleRESURFDeVices optimization LiQi+，Li Bo Zhaoji，and Zhang 610054，吼fn口) D，c柳nd，chengdH (，c珧si卯cen把r，unf化坶ffyD，剧ecfro凡fcfe凡∞伽d死c危nDfogy Anew2D modelforthesurfaceelectricalfielddistributionand ofbulk．silicon Abstract： analVtical optimization doubleRESURFdevicesis onthesolutiontothe2DPoisson’s modelthein． presented．Based equation，thegives biasandstructure suchasthe fluenceonthesurfaceelectricalfieldofthedrain parameters dopingconcentration， the andthe ofthe thicknessandthe concentrationofthedrift depth pOsitionp-topregion，the doping region，and thesubstrateconcentration．TheofbreakdOwnonthe and concentration doping dependence Voltagelengthdoping ofthedrift isalsOcalculated．FurthereffectiVeto the isalso region more，an waygain optimumhigh-Voltagepro— resultsobtainedMEDICIand posed．AUanalvticalresultsareverifiedbvsimulation by previousexperimentaldata， the OfthemOdel here． showingvaliditV presented double su“aceelectrical words：bulk—silicon；RESURF； field； Key optimization EEACC：2560B；2560P CLCnumber：TN432D0cum