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凸点下金属层湿法刻蚀与凸点底切的控制 wet ubm etching and bump undercut control
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:
doi 103969/ jissn1003353x200912015
凸点下金属层湿法刻蚀与凸点底切的控制
陈波,陈焱,谷德君
(沈阳芯源微电子设备有限公司沈阳, )
110168
摘要:介绍了电镀凸点封装工艺流程和其中有关金属层湿化学刻蚀的问题。通过槽式批量和
单片机刻蚀相应的 凸点下金属层的均匀度刻蚀速率和凸点底切的对比结果显示单( ) 、 ,
UBM
片湿法刻蚀机刻蚀均匀度小于 且片与片之间刻蚀速率差异小于 ,以及凸点底切小于 。
5% 2% 2 m
μ
槽式刻蚀均匀度较差一般会大于 同时同一批次片与片之间刻蚀速率差异也较大实验
, 20%, ,
显示超过 ,且刻蚀后凸点底切较深。因此采用单片机进行 金属刻蚀可以较好的控制刻
10% UBM
蚀过程和提高产品的良率。
关键词凸点下金属层湿法刻蚀凸点底切单片机电镀凸点刻蚀速率刻蚀均匀度
: ; ; ; ; ; ;
中图分类号: ; 文献标识码 文章编号: : ( )
TN3057 TN30596 A 1003353X 2009 12120904
Wet UBM Etching and Bump Undercut Control
, ,
Chen Bo Chen Yan Gu Dejun
( , , , )
Solidtool Co. Ltd. Shenyang 110168 China
:
Abstract The process flow of electroplating bump and the issues of UBM wet etching were discussed.
The etching uniformity of UBM layer and the bump undercut were compared by batch tool and single wafer
,
tool. By singlewafer etchingtool the etching uniformity islessthan5% and the difference of etching rate is
, , ,
less than2% amongwafers andthebumpundercut isalsolessthan2 m. However by batchtool etching
μ
the uniformity is more than 20% and t
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