铜布线化学机械抛光的失效研究 study on the defect of copper cmp.pdfVIP

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铜布线化学机械抛光的失效研究 study on the defect of copper cmp

·制造工艺与设备· 铜布线化学机械抛光的庆融研究 周国安,柳滨,王学军,种宝春 (中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京东燕郊101601) 摘 要:分析了铜电连接在今后晶片制造中的主导作用,阐述了铜布线的结构,即在由钽作为阻挡 层及采用电镀铜形成的电连接的情况下,抛光规律符合经典普莱斯顿方程;在粗抛磨料采用氧化 铝.精抛配比采用武亚红提出的方案情况下,采用旋转式低速较大下压力情况下抛光,整个晶片依 然存在较大的不均匀性。分析100 txm线宽的碟形缺陷会逐渐减小但最后会有少许增大。整个晶片 的侵蚀会和其图案密度成正比,但在同种分布情况下,精抛时间越长,则侵蚀缺陷越大。最后指出 了今后发展的高速底压力会显著解决当前不均匀性问题,但失效机制分析意义依然很重大。 关键词:铜;化学机械平坦化;钽;碟形缺陷;侵蚀 中图分类号:TN305.2 文献标识码:A of CMP onthedefect Study copper Bao-churl ZHOUGuo.all,LIUBin,WANGXue—Jun,CHONG of 45thResearchInstituteCETC,East 101601,China) (The Yanjiao,Beijing the roleinthefuture to the Abstract:First,the leading chip,thenexpound paperanalysiscopper’S Taasbarrierand as modesuit structureofthe is line,which pre· wiring.That copper polish copper thefinial use as ston’S the circumstance,toA1203slurry;underpol— equation;underprimarypolishing we and downforce circumstance.TouseWu uselow ishing Yahong’Sadvice,and speedhigla rotary waferstillhave WIWNU.to100umline CMPto wafers.Wefindthewhole great study width, polish will decreasebutintheendtherewillbea w

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