铜互连氮化硅薄膜沉积技术中电压衰减的研究 beol cu interconnect sin deposition vbd study.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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铜互连氮化硅薄膜沉积技术中电压衰减的研究 beol cu interconnect sin deposition vbd study.pdf

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铜互连氮化硅薄膜沉积技术中电压衰减的研究 beol cu interconnect sin deposition vbd study

第11卷，第3期电子与封装总第95期 201 V01．II．No．3 1年3月 ELECTRONICSPACKAGING 徽电子翻遣与可靠住铜互连氮化硅薄膜沉积技术中电压衰减的研究桂鹏，汪辉 (上海交通大学，上海200000) 摘要：根据O．13um以下的深亚微米超大规模集成电路中先进的后道铜互连技术对于氮化硅薄膜沉积的具体要求，文章在大马士革工艺的基础上分析了可能导致铜互连失效的原因。进而在应用材料公司的PRODUCER(一种薄膜沉积设备)机台上，通过包括对氨等离子体预处理和氮化硅预沉积的这两步骤作实验研究。利用田口分析判断的实验方法，找到主要影响电压衰减的因素，优化了气体流量、等离子喷头到晶圆表面的距离、射频功率、预处理和预沉积的时间等工艺参数。解决了O．13“m以下深亚微米中的铜互连的电压衰减问题，提高产品的良率和可靠性。关键词：大马士革；铜互连；氮化硅薄膜；电压衰减中图分类号：TN305 文献标识码：A 文章编号：1681·1070(2011)03—0025-04 BEOLCuInterconnectSiN Deposition‰Study GUI Hui Peng，WANG 200000，China) (ShanghaiJiao而昭University，Shanghai andadvancedCuinterconnect failure Abstract：Basedon0．13“mand BEOL beyondtechnology process，the modelwhichinducedCuinterconnectfailurewas andtheinfluence and“Ire- analyzed treatment’step of‘NH3 wasfocusedinthe OH such勰 Dep”step paper．BasedTagochidesignanalysis，theprocessparameters on吒D timeerewere flow issueof and gasflow，heaterspacing，RFpower optimized．Theoptimizedprocess fixed％D BEOL enhanced and completely，andproductionyieldreliability