半导体器件与工艺（三）.pptVIP

双极型晶体管 双极型晶体管 晶体管的基本结构和分类 双极型晶体管 晶体管的制造工艺和杂质分布 双极型晶体管 晶体管的制造工艺和杂质分布 双极型晶体管 晶体管的制造工艺和杂质分布 双极型晶体管 晶体管的制造工艺和杂质分布 双极型晶体管 均匀基区晶体管和缓变基区晶体管 均匀基区晶体管的基区杂质是均匀分布的，载流子在基区内的传输主要靠扩散机理进行，又称扩散型晶体管。 缓变基区晶体管的基区杂质是缓变的，载流子在基区内的传输除了靠扩散运动外，还存在漂移运动且往往以漂移运动为主，又称漂移型晶体管。 双极型晶体管 晶体管的电流放大原理 假设条件： ① 发射区与集电区宽度远大于少子扩散长度，基区宽度远小于少子扩散长度。 ② 发射区与集电区电阻率足够低，外加电压全部降落在势垒区，势垒区外无电场。 ③ 发射结和集电结空间电荷区宽度远小于少子扩散长度，且不存在载流子的产生与复合。 ④ 各区杂质均匀分布，不考虑表面的影响，且载流子仅做一维传输。 ⑤ 小注入，即注入的非平衡少子浓度远小于多子浓度。 ⑥ 发射结和集电结为理想突变结，且面积相等。 双极型晶体管 平衡晶体管的能带和载流子的分布 双极型晶体管 非平衡晶体管的能带和载流子的分布 双极型晶体管 晶体管载流子的传输 双极型晶体管 晶体管载流子的传输 ⑴ 发射结正向偏置—发射电子 ⑵ 载流子在基区的传输与复合 ⑶ 集射结反向偏置—收集电子 晶体管的直流电流放大系数 晶体管电流放大系数和电流放大能力 （1）共基极直流电流放大系数 表征从发射极输入的电流中有多大比例传输到集电极成为输 出电流，或者说由发射极发射的电子有多大比例传输到了集电 极。共基极接法的晶体管不能放大电流，但由于集电极允许接入 阻抗较大的负载，所以仍能够获得电压放大和功率放大。 晶体管的直流电流放大系数 晶体管电流放大系数和电流放大能力 （2）共射极直流电流放大系数 共发射极电路是用 去控制 以实现电流放大的。 晶体管的直流电流放大系数 晶体管电流放大系数和电流放大能力 （3） 与 的关系 晶体管的直流电流放大系数 晶体管电流放大系数和电流放大能力 （4）晶体管具有放大能力所满足的条件（以NPN管为例） ① 发射区高掺杂，能发射大量电子； ② 基区低掺杂且基区宽度窄，减少电子的复合损失； ③ 发射结正向偏置，发射电子； ④ 集射结反向偏置，收集电子。 晶体管的直流电流放大系数 均匀基区晶体管电流放大系数 晶体管的直流电流放大系数 均匀基区晶体管电流放大系数 为什么 总是小于 ？ 主要原因在于发射极发射的电子在传输到集电极的过 程中，有两个阶段电子会损失：一是发射区的电于与来自 基区的少子空穴的复合损失，该复合形成了空穴电流；一 是电子在穿越基区往集电结扩散的过程中，与基区中空穴 的复合损失，形成体内复合电流。 晶体管的直流电流放大系数 均匀基区晶体管电流放大系数 为了表征两个阶段电子损失的比例大小，再定义两个参量： 发射效率： 基区输运系数： 晶体管的直流电流放大系数 缓变基区晶体管电流放大系数 发射效率： 基区输运系数： 晶体管的直流电流放大系数 1.在N型硅片上经硼扩散后，得到集电结结深 ，有源基区方块电阻 ，再经磷扩散后，得发射结结深 ，发射区方块电阻 。设基区少子寿命 ，基区少子扩散系数扩散系数 ，基区自建场因子 ，试求该晶体管的电流放大系数 与 分别为多少？ 晶体管的直流电流放大系数 2.在基区掺杂浓度随距离按指数式变化的缓变基区晶体管中，基区自建电场强度为常数。如果基区宽度为0.3 的晶体管中存在500 的均匀基区自建电场，基区中靠近发射结一侧的掺杂浓度是 ，试问基区中靠近集电结一侧的掺杂浓度为多少？ 晶体管的直流电流放大系数 ① 提高发射区掺杂浓度，增大正向注入电流； ② 减小基区宽度，减少复合电流； ③ 提高基区杂质分布梯度，以提高电场因子； ④ 提高基区载流子寿命和迁移率，以增大载流子的扩散长度。 晶体管基区宽变效应 晶体管的直流电流放大系数 习题1 在材料种类相同、掺杂浓度分布相同、基区宽度相同的条件下、PNP晶体管和NPN晶体管相比，哪种晶体管