2010-11我国当前硅太阳电池制造工艺.pptVIP

§２-7-2-3 正电极银浆丝网印刷、烧结 采用丝网印刷纯银浆制作正面电极，在随后的快速高温烧结后，形成与硅片表面良好的欧姆接触。正面电极由主（栅）线和子栅线组成。 在烧结过程中需要烧穿减反射膜层，也要防止烧结过度致使P-N结特性被损坏，同时要使背表面的铝浆与硅片形成良好的金属化并且在电池背面形成P+层制得P-P+高低结（背电场）。 主栅线 副栅线 丝网印刷的网板 烧结温度曲线 丝网印刷电极制造系统全自动设备 §2-8 太阳电池伏安特性测量 ——太阳电池电参数测量 太阳电池的效率η＝ Pm／Pin×100％ 室内测量太阳电池的效率，就是在标准条件下（25℃，AM1.5，1000W／㎡）测量太阳电池的最大输出功率 标准电池——标定值（Isc）和光谱响应 单体电池测试仪（太阳模拟器） 复现 测量注意事项：温度、光谱、辐照度（光强） §2-8-1 测量电路 太阳电池伏安特性的简单测量电路 补偿法测量太阳电池伏安特性的电路 §2-8-2 太阳电池伏安特性曲线和电性能参数 太阳电池电参数符号和公式 符号 最大输出功率 Pm 开路电压 Voc 短路电流 Isc 负载电压 Vm 负载电流 Im 填充因子 FF 转换效率 Eff (η) 公式 Pm ＝ Im Vm FF＝Pm／Voc Isc ＝ Im Vm／Voc Isc η＝ Pm／Pin×100％ ＝ Im Vm／Pin×100％ ＝FF Voc Isc×100％ 扩散注意事项 扩散车间净化等级为一万级，温度要求为（25±3）℃，湿度要求为 （50±10）％。 装片时，禁止直接用手（即使是戴一次性手套）触摸石英器具和硅片的任何 部位，每次进行装片和卸片操作前必须要戴口罩并且换戴新的一次性手套，再行 操作。避免所戴手套触摸脸部和身体其它部位，不能用触摸过皮肤的手套拿吸笔、 镊子、硅片、石英舟。 禁止石英吸笔接触硅片以外的任何物品。禁止舟叉接触石英舟以外的任何物 品。 石英器件清洗机配溶液时，要先把瓶外的浮尘擦掉，并把易脱落的标签去 掉，以免掉到溶液中。 物品进入净化间之前，要经过清扫，无灰尘，无污染物。净化间的清扫应使 用无尘抹布和无尘吸尘器。 三氯氧磷扩散决定太阳能电池的性能，故必须严格按工艺要求进行操作。 经常检查三氯氧磷源瓶内的源量，液面接近N2进气口的下端时必须更换；三氯 氧磷及三氯乙烷均为有毒有害物质，换源时必须严格注意安全防护，戴好相 应的眼罩、手套和防毒面具等防护用品。 §２-4 等离子体刻蚀-周边腐蚀 等离子体：随着温度的升高，一般物质依次表现为固体、液体和气体，当气体的温度进一步升高时，其中许多，甚至全部分子或原子将由于激烈的相互碰撞而离解为电子和正离子。这时物质将进入一种新的状态，即主要由电子和正离子（或是带正电的核）组成的状态。这种状态的物质叫等离子体。 等离子体刻蚀：等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除。 扩散过程中，在硅片的周边表面也形成扩散层，使电池的上下两面旁路，须去除。利用辉光放电过程中等离子体所引起的化学反应，产生挥发性的产物对硅的腐蚀特性，达到边缘腐蚀去除周边扩散层的目的。化学反应为： CF4 + O2 F*+O*+COF*+COF2*+CO+… 其中，COF*寿命较长，COF* F*+CO Si + 4F* SiF4（气） 磷硅玻璃 磷硅玻璃 P型硅 N型硅 N型硅 P型半导体硅 等离子体刻蚀工艺过程 装片，扩散后硅片装在刻蚀夹具中 夹具放入反应室 抽真空 充入工作气体（CF4、O2、N2） 高频辉光放电（刻蚀） 充气 取出 等离子体刻蚀设备 反应室 夹具 硅片夹具放入设备中 等离子体刻蚀工艺和质量控制 工作气体流量设定、气压设定 射频电源功率设定 转速设定 电阻检测/导电类型检测 硅片刻蚀范围 §２-5 去除磷硅玻璃清洗