《电力电子技术》课程复习题—福州大学.docVIP

《电力电子技术》课程复习题 福州大学电气学院 林周布编写 绪论部分: 简要评述电力电子学与信息电子学的差异与联系。 电力电子技术的基础与核心分别是什么。 第1章部分: 一，教材P.42中的全部习题。 提示：对第3．题，（a），T = ，平均值Id10.27Im，有效值I10.48 Im；（b），T = 。对第4．题，这里，该晶闸管可通过电流的有效值为，要利用第3．题的结果；Id189.7A，Im1330A。 二，补充题： 1．画图说明二极管的反向恢复时间与软度因子是如何定义的。 2．分别画出晶闸管SCR与TRIAC、功率晶体管GTR、功率MOSFET、IGBT器件的输出伏安特性图，在图中相应位置上标明能表示这些器件各自重要特性参数的名称。 3．给出电力电子器件的安全工作区SOA有什么意义，画图表示功率晶体管GTR的SOA区。 4．GTO器件的关断增益是怎样定义的。 5．抗饱和电路在GTR恒流驱动电路中的主要作用是什么。 6．虽然都是电力电子器件，但我们说与晶闸管相比功率晶体管不是真正的开关器件，这句话的含义是什么。 7．写出功率MOSFET的四个工作模式的定义。 8．功率MOSFET管中的体二极管在使用中会出现什么问题，如何防止。 9．IGBT管的擎住效应在使用中会出现什么问题，如何防止。 10． 功率MOSFET的导通电阻是怎样定义的。 11．电力电子器件的功率损耗包含哪些部分，