附录A-HMLT低温高磁试验室.DOCVIP

附錄A 光微影製程的參數測試 目的： 利用光阻塗佈機及曝光機的可調整參數，使CPW mask的圖像成功地曝佈於樣品上，並維持設計圖像的線寬尺寸。 光微影製程必須全程在黃光室中進行，其製程步驟如下： 1. 樣品清洗(wafer cleaning): 將準備好的樣品經過清洗程序去除表面殘留的有機物 2.光阻塗佈(photoresist coating)： 使用光阻塗佈機將光阻均勻的塗佈於樣品表面，使其光阻厚度約為1μm。 3. 軟烤(soft bake)： 將上過光阻的樣品利用加熱板烘烤，目的在去除光阻內的溶劑以形成固態的薄膜，增強光阻層對樣品表面的附著力。 4. 曝光(exposure)： 利用光罩對準機以紫外光源照射光阻層，使未被光罩圖案所遮蔽區域的光阻層吸收適當的能量，以便進行光化學轉換，而能夠在接下來的顯影步驟中，使被紫外光照射區域的光阻層可被除去。 5. 顯影(development)： 藉由與顯影液(呈鹼性)的中和反應將樣品表面部份經過曝光的光阻層(呈酸性)加以清除，接著以去離子水(DI-water)定影，並清除樣品上的殘留物質，再以氮氣槍吹乾即可。其中需注意的是，顯影時搖晃的速度與顯影液的溫度會影響顯影時間的長短。 另外，我們分別以Si-wafer及GaAs -wafer測試相關的微影製程參數，如附表A-1及附表A-2所示，可得到完整的光罩圖案且接近準確的線寬 Spinner Coating 初轉條件 0(rpm) 0(sec) 末轉條件 6000(rpm) 40(sec) Soft Bake Condition (direct hotplate) 70(℃) 5(min) Exposure (OAI) 25(sec) Development 12(sec) Spinner Coating 初轉條件 0(rpm) 0(sec) 末轉條件 6000(rpm) 40(sec) Soft Bake Condition (direct hotplate) 70(℃) 5(min) Exposure (OAI) 25(sec) Development 12(sec) 附錄B 高頻量測系統的DC offset 校正 由於本實驗的高頻量測系統在對應二個不同頻率區段(0.4 Hz≦≦2GHz， 2≦≦3GHz)的參考訊號源時，需更換適用的Hybrid與混波器模組(請見附表B-1)，因而我們在高頻量測系統未接待測樣品及沒有外加磁場與低溫系統作用的情況下，利用RF source 於三個頻率區段下以相同的頻率間隔對系統輸入高頻訊號並改變輸入功率量測其振幅偵測器之輸出電壓值，接著我們將量測結果作平均取值，即為量測系統對應不同頻率區段的模組及輸入功率下的DC offset校正值。使得本實驗的量測數值能有更準確的比較基準。附表B-2即為DC offset的校正結果。 0.4≦≦2.0 2.0≦≦3.0 Coupler ZFDC-10-5 ZFDC-20-5 Agilent 86205A ZFSC-2-10G Mixer ZEM-4300 ZEM-4300 ZMX-10G ZMX-10G Splitter ZFSC-2-250 ZFSC-2-10G Hybrid QS4-01-464/6 QS4-01-464/3 外接衰減器 強度(dB) EIP set1 0.4≦≦1.0 (V) EIP set2 1.0≦≦2.0 (V) 外接衰減器 強度(dB) EIP set3 2.0≦≦3.0 (V) -40 0.00391 0.00103 -50 -0.00336 -50 -0.00202 -0.0015 -55 -0.00331 -60 -0.00202 -0.00122 -60 -0.00278 -63 -0.00263 -0.00114 -65 -0.01184 -64 -0.00288 -0.00113 -66 -0.00293 -65 -0.00235 -0.00117 -67 -0.00145 -66 -0.003 -0.00124 -68 -0.00289 -67 -0.00344 -9.42557E-4 -69 -0.00279 -68 -0.00273 -0.00109 -70 -0.00276 -69 -0.00273 -0.00111 -71 -0.00279 -70 -0.0027 -0.0012 -72 -0.00273 -71 -0.00254 -0.00115 -73 -0.00272 -72 -0.00282 -0.0013 -74 -0.00264