异质结中的电流.PPTVIP

§8．5 异质结中的电流 异质结的电流问题比同质结要复杂得多。这不仅因为在异质结的势垒中通常存在尖峰，而且因为存在数量较多的界面态．在异质结中可以存在象同质结中那样的扩散电流，也可以有象肖特基势垒中的热发射电流，还可以有和界面态相联系的产生复合电流和隧穿电流． 目前总的说来，对异质结电流的认识仍然比较少，往往难于对实验得到的伏安特性作出满意的说明。但看来并不象同质pn结和肖特基势垒那样，对于异质结不存在一种在多数情形下占主导地位的电流机制。 这一节先介绍扩散-发射电流为主的情形，然后说明复合机制和隧穿机制的作用．讨论只限于异质pn结． 在异质结中，在势垒区，导带或价带可能包含有尖峰．以图8. 26(a)的异质结为例，在正向偏压下，n区导带电子向p区的运动既包含有扩散，又包含有通过尖峰的发射． 为了能在尖峰处产生净发射电流，界面两边必定存在一定的费米能级差?EF，以使由n区向p区的发射超过由p区向n区的发射。由外加偏压V引起的费米能级差eV的其余部分降落在p区，用以驱动载流子向p区扩散(在两极管理论适用的条件下，可以认为电子费米能级水平通过n区)．这两部分费米能级降落的相对大小显然由电流连续来调节。 与式(8-5-3)对比可见，上式可由eV代替式(8-5-3)中的?EF得到．即在上述情况下，费米能级主要降落在界面，电流是由界面尖峰处的电子发射决定的． 由A和B的表示式(8-5-4)和(8-5-7)，(8-5-9)和(8-5-11) 当p区导带底高于尖峰时，条件(8-5-9)成立，电流主要由扩散决定．而当尖峰高于p区导带底kTlnVr/VD时，条件(8-5-11)成立，发射模型适用.但两者的相对高度是随偏压变化的，因此按照上述理论有可能出现由发射限制情形向扩散限制情形的过渡．在足够大的反向偏压下，?Vp有较大的值，VDp?Vp总会大于?Ec，一般应趋向于扩散限制的情形． 在上面的讨论中，没有考虑势垒区和界面附近任何形式的复合电流．在这种情形下，注入的少子将在空间电荷区以外的区域逐渐复合，转化为多子电流，即有少子的注入． 下面我们以扩散为主的情形为例，讨论异质结中两种载流子电流比例问题。  上式说明，在??gkT的条件下，即使NDNA,结电流中的电子电流也可远超过空穴电流. 这是因为在??g很大时, 空穴所面临的势垒比电子的高得多. jn/j称为电子注射效率. 异质结最初正是由最预料它能在相反掺杂(例如p区的受主掺杂比n区施主高)的情形下仍可获得高的电子注射效率．(电子注入远超过空穴)而引起人们注意.  这里顺便指出，对于一边高掺杂的同质pn结，由于高掺杂可导至禁带宽度的降低(与上面讨论的情形相反)，过高的掺杂并不能提高注射效率. 甚至相反, 可导至注射效率的降低． 在异质结中还存在所谓“超注入”现象: 注入到窄禁带一边的少数载流子浓度可超过宽禁带一边的多数载流子． 在用于激光二极管的GaAs—GaAlAs结中，在小偏压下，表面复合电流也可起重要作用. 隧穿机制 图8.29为实验测得的npGe—Si异质结在不同温度下正向伏安特性(半对数坐标．每一温度下的曲线都由两条斜率不同的直线组成. 低偏压部分的直线不同温度有不同斜率，且温度愈低斜率愈大, 与式(8-5-13)的趋势一致．但曲线的较高偏压部分，不同温度具有相近的斜率，而且对于同一偏压，不同温度下的电流值变化相对较小. 斜率不随温度变化, 电流大小对温度依赖较小，这正是隧道电流的特征. 这两种情况都可以通过隧穿机制加以解释．图8.31所示为几种可能的隧穿机制. 每一种情形下，完整的电流过程都由几个“串联”的过程构成． 例如图8.31(a)中的过程由以下三个步骤组成：导带电子隧穿到界面态；由较高的界面态跃迁到较低的界面态；空穴隧穿到较低的界面态． 电流的大小主要取决于“阻力”最大的过程(速率限制过程)．如果某一隧道过程是速率限制过程，那么电流电压特性将由该隧道过程的隧穿几率随电压的变化决定．  对于图8.29的np Ge-Si结的特性的分析表明，其电流过程符合隧穿+复合模型。在较低偏压下复合是速率限制因素，曲线斜率随温度的增加而减小。但较大偏压下结电流的大小主要受隧穿的限制．在上述电流机制占主导地位时显然不应有显著的少子 第九章 半导体的光吸收和发光现象 9.1 半导体的光吸收 光在导电媒质中传播时具有衰减现象，即产生光的吸收。半导体材料通常能强烈地吸收光能，具有数量级为105 cm-1的吸收系数。材料吸收辐射能导致电子从低能级跃迁到较高的能级。对于