IC-3D封装的散热的概述与解决.docVIP

三维立体封装散热方面的挑战 一 问题提出 3D封装是在一个较小的封装体内堆叠多层 IC芯片，散热问题 研究3D芯片在传导、对流作用下3D封装结构的热阻网络模型，通过对热阻网络模型的计算与仿真分析找出影响3D封装散热效果的关键因素；通过对散热过孔的拓扑优化和参数优化来获得最佳的散热效果，研究多芯片堆叠时功率分配不同对3D封装整体热阻网络的影响，综合优化和功率分配的研究成果得到散热效果最优3D封装结构。 简单的举个例子，假如两个堆叠在一起的芯片其热点恰好位于同一部位，那么最终的成品性能便会受到很大的影响。为了避免出现此类问题，就需要堆叠阵列中上下层芯片的热点位置 在叠层元件之间使用低热阻CVD金刚石中间层 CVD金刚石材料具有其它电子材料无法比拟的高导热率(1000—1700W/m-K)，把金刚石材料作为裸片间的中间层，从而增强散热效率是很有效的措施。 加装金刚石中间层效果如图 经过试验后的散热效果对比如左图： 上图为未加CVD金刚石中间层 下图为加有CVD中间层 结论：CVD金刚石的导热率非常高，可见虽然加入金刚石导热层可以明显改善芯片结温，但其厚度影响极小，所以有很高的使用潜力。 使用低热阻的成型填充材料 在芯片封装的成型环节下功夫传统的成型一般采用塑料封装，陶瓷封装，其中塑料封装占据90%的市场；这时候可以采用金属封装，可以起到加快散热作用，同时可以起到物理保护、电磁屏蔽优点 方法二可以采用改进的低热阻成型材料，提高其热导率，必然可以加快芯片内部的热量释放，从而改进散热效果（改进型成型材料还处于讨论研发阶段，成本和可行性不在此考虑）。 外部措施 增加高导热的芯片外围散热辅助器件 加装铜散热板、铝封装盖等； 使用低热阻的PCB板 印刷电路板（PCB）也能被当做导热介质使用。例如华硕的StackCool技术，就是在PCB板中间加入了铜介质层，达到了为MOS管或板载芯片散热的目的。 MOS管位置后面的铜层可作为简单的散热片 液体冷却、高效冷却技术常采用在大功率的器件，但这些高效的冷却技术需要些附加设备，增加了系统的体积、复杂性、制造和维护的成本。 新型散热技术——相变制冷技术 利用冷媒从液态蒸发成气态过程中，吸收大量的汽化潜热，利用蒸气压缩制冷原理，使冷媒在芯片处直接蒸发吸热， 参考文献： 《CVD金刚石改善3D—MCM散热性能分析——谢扩军 蒋长顺 徐建华电子科技大学物理电子学院》 《三维立体封装（3D）结构与热设计面临的挑战 ——王文利 梁永生》 《3D堆叠技术的道与魔——“半导体科技”网站13年7月刊》 《试议3D封装到来时的机遇与挑战3D-IC制程的一种工业应用范式首先是芯片到芯片堆叠（C2C），然后转向芯片到晶圆堆叠（C2W），最终转向晶圆到晶圆堆叠（W2W）。W2W集成的根本局限性在于晶粒的大小必须相同，并且一个合格晶粒很可能会堆叠到一个缺陷晶粒上。但是，这种方法在生产复杂性方面具有很多优势；但最主要的一点是能够对晶圆上的所有晶粒进行同步处理。 缺乏标准 基于TSV 的 3D IC 设计、制造，和包装有几个标准，尽管这个问题正在得到解决。此外，还有许多技术仍在探索，例如via-last, via-first, via-middle;[22]内插（interposers）或直接接合（direct bonding）等。 质量评价与检测技术相关设备 可以预见，TSV的特殊性还会给3D IC制造的检测和量测带来前所未有的困难，控制TSV通孔工艺需要几何尺寸的量测，以及对刻蚀间距和工艺带来的各种缺陷进行检测。通常TSV的直径在1μm到50μm，深度在10μm到150μm，宽比在3到5甚至更高，一芯片上的通孔大约在几百甚至上千。减薄和键合工艺对检测和量测的需求更多。厚度和厚度均匀度需要测量，工艺中必须监控研磨浆残留、微粒污染、铜微粒、引起的、边缘碎片等。对于键合，无论是芯片至晶圆、还是晶圆之间，在精准的对位的同时，还需要控制表面粗糙程度、表面洁净度和平坦度。另外，一些新的工艺步骤也需要考虑监控，比如尺寸在几十个微米的阵列。,从而达到有效地降低废品率。苏州德天光学技术有限公司开发的微焊点自动光学显微检测仪（MMI）的出现刚好解决了这一技术难题，它可满足所有3D封装的每一个检测点的实时工艺过程控制的要求，微焊点自动光学显微检测仪（MMI）的出现将大大促进3D封装的发展。 来源：《试议3D封装到来时的机遇与挑战