各位股东,.PDF

各位股東， 民國一○五年，主要經濟體仍未解決高負債、低通膨 理優勢，加速貢獻產出。聯電在台灣、新加坡與中國的 與就業不振等結構性問題，英國脫歐公投與美國總統 12吋晶圓產能與製程技術的布局，未來將更能因應客 大選的結果，更增加各國政府因應保護主義與施政方 戶需求，進行產品、訂單、製程技術的整合，拓展中國 向的不確定性，全球經濟年成長率創金融海嘯後的新 市場及擴大營運規模的競爭優勢，並因此地區的快速成 低點。由於總體經濟疲弱，半導體的需求雖然從年初 長而直接受惠。 的低迷不振，逐漸復甦，但全年的整體銷售僅中國與 日本成長，其它區域皆呈衰退。雖然如此，半導體產 業大規模的併購活動仍持續進行，中國支持半導體產 業的投資亦繼續擴大，產業供應鏈消長重組，競爭十 分激烈。聯電預期的營收規劃雖亦受到影響，但由於 技術、產能與客戶開發的持續突破，全年營收仍保持 成長。在晶圓專工部分，年出貨量約當八吋晶圓617萬 2千片，年增率5.2%，產能利用率88.6%，年減1.2個 民國一○五年，聯電的研發費用支出新臺幣135.32億 百分點。民國一○五年，聯電年營收新臺幣1,478.70億 元。聯電自行開發的14奈米FinFET技術也達成新的里 元，毛利率20.5%，營業利益率4.2%，歸屬母公司的 程碑，不僅在電性、速度與耗電量的表現均符合產業 全年獲利新臺幣83.16億元，每股盈餘新臺幣0.68元。 水準，良率也達到客戶要求。在28奈米方面，聯電成 聯電秉持為客戶提供最適切晶圓專工解決方案的經營 功開發出性能優於產業水準的28HPCU U 與28HPC +技 理念，持續致力於先進的技術研發與產能擴充。民國 術，將可大幅提升客戶的產品競爭力。在特殊技術應 一○五年，聯電與客戶完成14奈米的產品設計開發定 用上，聯電開發並量產業界最小的40奈米eCT的嵌入 案，並積極進行量產準備。28奈米與40奈米的高階產 式快閃記憶體，不僅滿足最嚴苛的高性能應用設計， 品營收佔晶圓銷售的44.5%，較前一年成長超過30%。 亦可滿足車用電子嚴格的可靠性要求。聯電55奈米超 聯電策略投資的中國廈門Fab 12X廠，也以超越產業紀 低功耗製程亦推出矽智財方案，滿足無線物聯網產品 錄的速度完成建廠，並於第四季量產。由於客戶持續 的電池長期壽命需求。此外，聯電也和世界各地領導 增加對該廠產能擴充的需求，未來將發揮其獨特的地 廠商、先進設備供應商、大學及研究機構等共同合作 4444 致股東報告書 開發多項次世代製程關鍵性技術。結合超低耗能技術 與矽智財的解決方案，在物聯網（IoT）的布局、應用 與開發上，提供客戶全方位的競爭優勢。 聯電除投資研發先進的半導體製程技術外，也持續擴 充先進與特殊技術製程的產能。民國一○五年，聯電 投入的資本支出約28億美元，主要包括中國廈門Fab 12X廠的興建，南科Fab 12A廠與新加坡Fab 12i廠的 產能擴充，先進技術研發與生產設備等的投資。聯電 亦與策略夥伴合作，開發記憶體技術，未來除透過技 術授權回收研發投資，亦可適切掌握記憶體產業的發 展機會。由於，聯電的營運持續管理（BCP），已完成 全公司的ISO22301品質認證。結合聯電實施全面性的 「車用服務計畫」，將零缺陷做法導入製程協助客戶 滿足車用晶片的品質需求，