集成电路版图设计基础第7章：匹配.pptVIP

school of phye basics of ic layout design 集成电路版图设计基础 basics of IC layout design instructor: Zhang Qihui e-mail:qhzhang07@ 第六章 寄生参数 匹配规则 简单匹配 匹配方法 * * 河 南 大 学 H e n a n U n i v e r s i t y 之一：把匹配器件相互靠近放置。 place matched devices close to each other. 之二：使器件保持同一方向。 keep devices in the same orientation. 之三：选择一个中间值作为根部件。 choose a middle value for a root component. 匹配规则 之四：采用指状交叉方式。 interdigitate. 之五：用虚设器件包围起来。 surround yourself with dummies. 之六：四方交叉成对器件。 cross-guad your device pairs. 匹配规则 之七：使布线上的寄生参数匹配。 match the parasitics on your wiring. 之八：使每一样东西都对称。 keep everything in symmetry. 之九：使差分布线一致。 make differential logic identical. 匹配规则 之 十：使器件宽度一致。 match device widths. 之十一：采用尺寸较大的器件。 go large. 之十二：总是与电路设计者交流。 always communicate with your circuit designer. 匹配规则 之十三：掩模设计者不会心灵感应。 mask designer are not phychic. 之十四：注意临近的器件。 watch the neighbors. 匹配规则 regular (rectangular shape) parallel elements Possibly, the current flowing in the same direction. 简单匹配 - matching single transistor 大角度离子注入（100nm离子注入工艺） 随着器件特征尺寸的不断缩小，工艺制造进入0.10-0.13μm技术代，此时短沟道效应的现象最为突出即：当FET源极和漏极之间的距离变小时MOSFET的阈电压下降。100nm器件工艺必须用到大角度离子注入工艺，即Halo的注入工艺。主要是防止漏源相通，降低延伸区的结深以及缩短沟道长度，使载流子分布更陡，提高芯片的性能。 简单匹配 - asymmetry due to fabrication an MOS transistor is not a symmetrical device. to avoid channeling of implanted ions the wafer is tilted by about 7 degrees. 简单匹配 - asymmetry due to fabrication source and drain are not equivalent 就CMOS晶体管而言，对其特性影响最大的参数是栅长和栅宽。 在工艺中采用的某些刻蚀方法常常在一个方向上刻蚀得快些。这样发生在一个晶体管宽度上的刻蚀误差将出现在另一个晶体管的长度上。 简单匹配 - asymmetry due to fabrication 20.5X1.8 制造时不匹配 19.8X2.5 20X2 画版图时匹配 20X2 20 19.8 2 1.8 2 2.5 20 20.5 当集成电路产业刚刚起步的时候,制造工业仍然相对落后。即使你将两个需要匹配的器件放的很近, 我们也仍然无法保证它们的一致性。 现在虽然制造工艺越来越精确,但是匹配问题的研究从来就没有停止过, 相反地, 匹配问题显得日益突出和重要。 匹配分为横向匹配、 纵向匹配和中心匹配。实现匹配有三个要点需要考虑: