N掺杂ZnO薄膜的荧光特性研究.PDFVIP

第 卷第 期 光 子 学 报 ４１ ８ 　 　 　 Ｖｏｌ．４１Ｎｏ．８ 年 月 　　　　　　　　　　　　 ２０１２ ８ Ａｕｕｓｔ２０１２ ＡＣＴＡＰＨＯＴＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ ｇ ： ／ 犱狅犻１０．３７８８ ｚｘ０９３２ ｇ Ｎ掺杂ＺｎＯ薄膜的荧光特性研究 １ ２ ２ ２ １ 王金香 ，沈洪雪 ，彭小波 ，王芸 ，刘银 （ 安徽理工大学 材料科学与工程学院，安徽 淮南 ） １ ２３２００１ （ 中国建材国际工程集团有限公司，浮法玻璃新技术国家重点实验室，安徽 蚌埠 ） ２ ２３３０１８ 摘 要：以 Ｎ 为掺杂源，通过改变 Ｏ ∶Ｎ 比，利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了具有 　 ２ ２ ２ ［ ］择优取向的 掺杂 薄膜，研究了 薄膜的光致发光谱随着 掺入量的不同而变化 ００２ Ｎ ＺｎＯ ＺｎＯ Ｎ 的规律 结果表明，薄膜主衍射峰为 处的发光峰；由于 掺杂量的不同，有的薄膜在 ． ４０２ｎｍ Ｎ ４４５ｎｍ 和 处也有发光发存在，但随着薄膜 含量的不同，其发光峰强度明显不同，其峰位也发生 ５２４ｎｍ Ｎ 了相应的红移或者蓝移 当 为 时，制备的薄膜 掺杂量最大，光学性能最好，此工 ． Ｏ ∶Ｎ １０∶１５ Ｎ ２ ２ 艺为研究ＺｎＯ薄膜的缺陷类型及导电类型提供了重要的研究参考． 关键词：氮掺杂；磁控溅射；光致发光谱；受主杂质；蓝移 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） ＴＢ４３ Ａ １００４４２１３２０１２０８０９３２４ 　　　 　　　 溅射设备上制备的，以玻璃为衬底，靶材采用高纯陶 ０ 引言 　 瓷 （ ）靶，在进行镀膜前，真空室的真空 ＺｎＯ ９９．９９％ 是一种直接带隙宽禁带半导体材料，其激 度为 －５ 工作时，通入溅射气体高纯氩气 ＺｎＯ ３．０×１０ Ｐａ． 子束缚能为 ，光子增益为 １，具有优