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光学性质分析电化学性质分析
3.4 光學性質分析
使用紫外可見光光譜測量 P1 ～P4 的光譜，得到波長由
200~400nm的吸收光譜，由於放光範圍不落於可見光範圍之內，作為
電洞傳輸層將不會影響元件的 EL 光譜。UV-Visible 光譜如Fig. 3-2
所示。
1.0
P1
P2
0.8 P3
)
u. P4
.
a
(
0.6
y
t
i
s
n
e
t 0.4
n
I
0.2
0.0
200 300 400 500 600 700
Wavelenth (nm)
Fig. 3-2 UV-Visible spectra of P1～P4
3.5 電化學性質分析
3.5.1 循環伏安計量 (Cyclic Voltammetry)
為了瞭解發光材料於光激發光或電激發光過程中，電子和電洞
的注入情形，我們利用循環伏安計量量測高分子 P1 ～P4 材料的
49
HOMO及 LUMO 等能帶高低關係，實驗時以濃度0.1M 之 TBAHFP6
(tetrabutylammonium hexafluorophosphate)的 acetonitrile 溶液為電解
質，待測物溶液以塗覆在 Pt電極上量測，Ag/Ag+為參考電極，以Fe/Fe+
為內參考電位，白金絲為導電電極。由於 P3及 P4會溶解於 acetonitrile
中，因此每個樣品測量完之後必須重配電解質溶液，量測時以 50
mV/sec的速率掃描記錄其氧化還原曲線。
3.5.2 HOMO 與LUMO能帶計算
電洞傳輸材料的 HOMO能帶結構能直接影響電洞注入的能力，
故這一方面的數據亦是評估電洞傳輸材 料的一項重要指標。對於高分
子材料之電子游離能( Ionization potential ，IP ) 與電子親和力
( Electronic affinity )數據的取得，最簡單的方法就是以 CV數據配合
UV-Visible 光譜之吸收波長數據來計算。一般發光材料IP 、EA及能
隙( Energy gap ，Eg的標準表示法如下：)
| HOMO | = IP = 4.4 + Eox,onset
| LUMO | = EA = 4.4 + Ered,onset
E = IP – EA
g
其中常數4.4 為Fe相對於真空的能量數值
由於高分子材料在量測 CV所表現出的還原曲線會因為有水或其
他物質的出現而變得非常雜亂，導致材料本身的還原曲線並不明顯，
因而無法直接得到 EA 值，故對於高分子能隙的取得一般藉由
UV-visible 光譜中的最長波長吸收峰的起始波長(λonset )來計算：
E ＝ 1240 /λ
g onset
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