附件12017年山东自然科学基金重大基础研究项目资助方向.docxVIP

附件1：2017年山东省自然科学基金重大基础研究项目资助方向一、优势学科提升1. 超宽禁带半导体材料应用基础研究（代码：2017A01，以下同）研究大尺寸单晶薄膜制备关键技术，建立国际先进的CVD金刚石单晶研究平台，开展P型掺杂金刚石薄膜、光导开关、SBD等原型器件研究，进一步推进“终极半导体”的产业关键技术突破，为高频、耐高温、高功率电子器件研究和应用提供基础。 方向1：自支撑CVD金刚石单晶厚膜制备（方向代码：1,以下同）重点研究利用微波等离子化学气相沉积系统和马赛克拼接法金刚石外延生长工艺，通过提升微波功率、高气压和甲烷浓度提升金刚石生长速率和晶体质量，实现20mm*20mm以上自支撑CVD金刚石单晶厚膜制备。方向2： P型掺杂CVD金刚石外延薄膜生长技术（2）重点研究利用单晶金刚石衬底开展微米级P型掺杂金刚石外延技术，重点攻克缓冲层生长、非晶缺陷抑制等难题，实现原子级P型掺杂金刚石平整表面，掺杂浓度达到1e18以上。方向3：基于金刚石的半导体器件研究（光导开关、SBD）（3）重点研究金刚石欧姆接触电极制备、干法刻蚀、退火工艺等半导体工艺，实现耐压10000V光导开关和耐压1200V肖特基二极管制备，并探索在200℃高温条件下的应用。考核指标：项目完成后将巩固山东省在超宽禁带半导体材料和应用领域的领先优势，关键技术达到国际先进水平，部分应用器件填补国内空白，申请国家发明专利1