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层状二硫化钼研究进展
层状二硫化钼研究进展
顾品超 张楷亮 冯玉林 王芳 苗银萍 韩叶梅 张韩霞
Recentprogressoftwo-dimensionallayeredmolybdenumdisulfide
Gu Pin-Chao Zhang Kai-Liang Feng Yu-Lin Wang Fang Miao Yin-Ping Han Ye-Mei Zhang
Han-Xia
引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,018102(2016) DOI: 10.7498/aps.65.018102
在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.65.018102
当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2016/V65/I1
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物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 1 (2016) 018102
综 述
层状二硫化钼研究进展
顾品超 张楷亮 冯玉林 王芳 苗银萍 韩叶梅 张韩霞
(天津理工大学电子信息工程学院, 天津市薄膜电子与通信器件重点验室, 天津 300384)
( 2015 年8 月13 日收到; 2015 年9 月16 日收到修改稿)
近年来, 层状二硫化钼由于其特殊的类石墨烯结构和独特的物理化学性质已成为国内外研究的热点. 本
文综述了层状二硫化钼的物理结构、价带结构和光学性质; 介绍了制备方法, 包括生长制备和剥离制备. 生长
制备的原料包括四硫代钼酸铵((NH MoS )、钼(Mo) 和三氧化钼(MoO ) 等. 剥离制备包括微机械剥离、液
相超声法、锂离子插层法和电化学锂离子插层法等. 归纳了层状二硫化钼在场效应晶体管、传感器和存储方面
的应用, 展望了层状二硫化钼的研究前景.
关键词: 层状二硫化钼, 物理结构, 制备方法, 电子器件
PACS: 81.10.–h, 68.35.bg, 61.46.Hk
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