或者用万用表测量磁敏电阻的阻值.PPT

光由玻璃介质射入空气时，同时发生反射和折射，折射角大于入射角，随着入射角的增大，反射光线越来越强，折射光线越来越弱，当折射角增大到90°时，折射光线完全消失，只剩下反射光线，这种现象叫做全反射． θ1 θ2 玻璃介质 N N A O B 空气 θ3 C θ1 θ3 玻璃介质 N N A O B 空气 光的全反射 一、光纤 当载流导体置于磁场中，其电阻会随磁场而变化的现象。 当温度恒定时，在磁场中，磁阻与磁感应强度B的平方成正比。 从微观上讲，材料的电阻率增加是因为电流的流动路径因磁场的作用而加长所致。 一、磁阻效应 磁阻效应除了与材料有关外，还与磁敏电阻的形状有关。 在恒定磁感应强度下，磁敏电阻的长度与宽度的比越小，电阻率的相对变化越大。 二、磁敏电阻的结构 长方形磁阻器件只有在lb的条件下，才表现出较高的灵敏度。在实际制作磁阻器件时，需在lb的长方形磁阻材料上面制作许多平行等间距的金属条（即短路栅格），以短路霍尔电势. 长方形磁阻器件 B I B l I b 圆盘形磁阻器件 (a) (b) B 圆盘形的磁阻最大，故大多做成圆盘结构。 1. 灵敏度特性 磁敏电阻的灵敏度一般是非线性的，且受温度的影响较大。磁阻元件的灵敏度特性用在一定磁场强度下的电阻变化率来表示，即磁场 — 电阻变化率特性曲线的斜率。 在运算时常用RB/R0求得， R0表示无磁场情况下磁阻元件的电阻值，RB为施加磁感应强度时磁阻元件的电阻值。 三、磁敏电阻的特性 (b) 电阻变化率特性 RB/R0 15 10 5 温度(25℃) 弱磁场下呈平方特性变化 强场下呈直线特性变化 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 B/T S级 (a) S、N级之间电阻特性 N级 0.3 0.2 0.1 0 0.1 0.2 0.3 R/Ω 1000 500 B/T 灵敏度特性 2. 电阻 — 温度特性 半导体磁阻元件的温度特性不好。元件的电阻值在不大的温度变化范围内减小的很快。因此，在应用时，一般都要设计温度补偿电路。 温度（℃） 0 20 150 50 40 80 100 电阻（Ω） 100 60 1. 本技能训练所需设备 磁敏电阻、转动源、应变传感器实验模块 技能训练：磁敏电阻在转速检测中的应用 2、磁敏电阻测量转速的工作原理 本实验所采用的传感器是一种N型的InSb半导体材料做成的磁阻器件。在其背面加了一个偏置磁场，以提高灵敏度。当被检测铁磁性物质或磁钢经过其检测区域时，MR1和MR2处的磁场先后增大从而导致MR1和MR2的阻值先后增大，如在①、③两端加电压±Vcc，则②端输出一个正弦波。为了克服其温度特性不好的缺陷，采用两个磁阻器件串联以抵消其温度影响。 转动源上用于测量转速的圆盘在圆周上平均分布6只磁钢，所以圆盘上的磁钢依次经过两个磁敏电阻的下方，②端就依次输出正弦波，一个磁钢对应一个正弦波，将输出的正弦波送入频率表，根据公式 计算出转速。 3.训练步骤 （1）将磁敏电阻安装在传感器支架上，使传感器探头底部距离转盘的距离约1~2mm左右。 （2）将±15V直流稳压电源接入应变传感器实验模块，短接差动放大器的两个输入端Ui，Uo2接直流电压表，直流电压表量程选择2V档，将Rw3调节到最小，调节Rw4使Uo2输出为0。 （3）按图接线，磁阻传感器的三根引线红色接1，蓝色接2，黑色接3，使MR1、MR2与R6、R7构成一个电桥，电桥输出接差动放大器输入Ui，调节Rw1，使模块输出Uo2输出为正，且最小（若输出最小值始终为负，可掉换MR1和MR2的位置）；输出Uo2接频率/转速表。 3.训练步骤 （4）打开实验台电源开关，用不同的电源驱动转动源转动，记录不同驱动电压对应的转速，填入表6-3中，同时可通过示波器观察光电传感器的输出波形。 （5）实验结束后，关闭实验台电源，整理好实验设备。 万用表检检测磁敏电阻。常温下，磁敏电阻一般不超过500Ω，如果用万用表测得阻值过大或者过小，则磁敏电阻已经不可用。或者用万用表测量磁敏电阻的阻值，用一块磁铁靠近磁敏电阻，如果万用表指针回转，阻值变小，说明磁敏电阻可用；反之，指针不动，电阻值不变化，则磁敏电阻已失效。 拓展与训练 项目十 新型传感器的应用 一 光纤传感器在位移检测中的应用 二 磁敏电阻在转速测量中的应用 任务一 光纤传感器在位移检测中的应用 光纤传感器利用改变光的参数进行测量，光纤本身就是传输光信号的，所以测量精度高，利用反射式光纤测量微小位移。 光由玻璃介质