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2017-08-21 发布于上海
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apd主被动红外成像读出电路设计 design on infrared readout circuit for apd active and passive imaging.pdf

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apd主被动红外成像读出电路设计 design on infrared readout circuit for apd active and passive imaging

第34卷第6期电子器件 V01．34No．6 Chin∞e 201 JournalofEli∞t[onDevic∞ Dec．20ll 1年12月 onInfraredReadoutCircuitforAPDActiveandPassive Design Imaging。 WANG Miao，SONG Baixue，SUN rifeng，YANG Wenxing，ZHANGWeifeng+ ASIC Research SyaemEn#neering (National TechnologyCenter，SoutheastUniversity，Na,,ying210096，China) onthe of Photodiode characteristicof Abstract：Based APD(AvalancheDiode)，the operatingprinciple hi【shvoltage and time cellcircuit wholecircuitofthe integrationadjustable are andthe protection techniquesinvestigated．The Circuit)are circuitcanachieve functionandthe ROIC(ReadoutIntegrated designed．This high-voltageprotection switchcircuitcanachieve control havebeenverifiedonthesmall integral precise function，which array(64×“) under77K simulationresults showthatROIChascharacteristicof V)．In chips．The hiighvoltageprotection(17 time time active Canbe from10nsto150asand Canbe mode，itsintegration integration delayed imaging adjusted from10asto310as．Themaximum canbe than5MHz． workingfrequencyhigher and words：active Key passiveimaging；APD；linear-mode；ROIC EEACC：7230Gdoi：10．3969／j．issn．1005-9490．2011．06．014 APD主／被动红外成像读出电路设计木