au(sisio2)p-si薄膜中电流及电致发光机制的分析 study of transport and electroluminescence mechanism in au(sisio2)p-si structure.pdfVIP

! # ·$ ! 第 卷 第 期 年 月 17 2 2006 2 VOl.17 NO.2 Feb.2006 JOurnalO O tOelectrOnics Laser f p ／（／ ）／ 薄 膜 中 电 流 及 电致 发 光 机 制 的 Au Si Sio -Si 2 p 分析 ! ! ! 张开彪 马 书铬 马 自军 陈海 霞 师 范 大学 物 理 与 工 程 学 院 甘 肃 兰州 西 北 电子 730070 摘 要 用 射 频 磁 控 溅 射 法 制 备 了具 有 结 构 的样 品 利 用 特 性 曲线 和 电致 发 光 Au Si SiO2 p-Si I-V EL 谱 对 载 流 子 的输 运 及 复合 发 光 过 程 进 行 了研 究 用 位 形 坐标 理 论 模 型分 析 的结 果 表 明 在 SiO2 薄 膜 中存 在 2个 由于缺 陷而形 成 的发 光 中心 Au 膜 中的 电子 和 p 型 Si 中的空穴 在 较 高 的 电场 下 以 FOWl- 隧穿方 式 进 入 薄膜 并 通 过其 中的缺 陷 中心 复合 而发 光 er-NOrdheim F-N SiO2 关 键 词 射 频 磁 控 溅 射 隧穿 位 形 坐标 FOWler-NOrdheim F-N 中图分 类 号 ! + 文 献标 识码 ! 文章 编 号 ! O472 .3 O482.3 O484.4 A 1005-0086 2006 02-0135-04