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bawo4掺杂对bmt陶瓷介电性能的影响 effect of bawo4 doping on the microwave dielectric properties of bmt microwave ceramics
BaWO4掺杂对BMT陶瓷介电性能的影响
彭森 1吴孟强2 肖勇2 陈黎2姜锐2
1.邵阳学院信息工程系,湖南邵阳422000;2.电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川
成都610054
摘要:采用传统电子陶瓷工艺合成了BaWO4掺杂的Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT)微波介质陶瓷,研究了质量分数
w(BaWO4)从2%~8%变化对BMT微波介质陶瓷结构和微波特性的影响。实验结果表明:添加少量的BaWO4能明
显改善BMT陶瓷的烧结性能,当w(BaWO4)=4%时,BMT陶瓷的烧结温度由纯相时的1650℃以上降至1400℃,
其体积密度为7.562g/cm3,相对密度达到99%,同时BMT陶瓷体系获得了良好的微波性能:εr26.7,Q·f=98THz
(8GHz),τf=6.5×10-6/℃。
Ba(Mg1/3Ta2/3)O3;掺杂;介电性能;微波介质陶瓷
TM277 A 1001-2028(2011)11-0001-04
EffectofBaWO4dopingonthemicrowavedielectricpropertiesof
BMTmicrowaveceramics
PENG SenWUMengqiangXIAOYongCHEN LiJIANG Rui
2011-07-05
湖南省教育厅基金资助项目(No.09C886)
作者简介:吴孟强 (1970-),男,四川崇州人,教授,主要从事微波介质材料与器件、新能源材料与器件的研究开发,E-mail:mwu@;
彭森 (1983-),男,湖南邵阳人,硕士,主要从事微波器件的研究,E-mail:pengsen1206@126.com。
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