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2017-08-21 发布于上海
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bjt等效电路模型的发展 advanced compact models for bjt.pdf

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bjt等效电路模型的发展 advanced compact models for bjt

第33卷第3期电子器件 V01．33No．3 2010年6月 ChineseJournalofElectronDevieee Jun．2010 Advanced Modelsfor Compact BJT宰 LUO Xi。 Jiexin，CHENJing，WU Deyuan，WANG Qingqing，XIAO FunctionalMateriats Institute Laboratoryof 《StateKq fori咖rmatics。$1u”ghaiof Microsystem、，、andInformationTechnology。ChineseAcademyofSciences，Shanghai200050，China combinationof dimensionsand USeof for andRF Abstract：The BJT BJT decreasing increasing highspeed applica— tionhascreatedtheneedforadvanced modelsforBJTcircuit anoverviewofthebasic design．We compact provide thatmustbemodeledtobuilda modelfortheBJTanddescribethe takenthedevel· physics compact approachesby modelsaredemonstratedof of whoadvancedseveralmodels．Thecharacteristicsofthe bywaycomparison opers simulatedandmeasureddevicedata．In willconsiderthe detail，we followingimportantpoints：equivalentcircuit， transfercurrent timecalculation． effects，transit calculation，Earlyeffects，highinjection，Kirk JunctionTransistor)；BJTmodel；HICUMModel；ICCR Keywords：CompactModel；BJT(Bipolar EEACC：2560J BJT等效电路模型的发展术罗杰馨，陈静，伍青青，肖德元，王曦。