bi过量和mn掺杂的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷 mn-doped lead-free piezoelectric (na, bi)tio3 based ceramics compensated with extra bi.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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bi过量和mn掺杂的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷 mn-doped lead-free piezoelectric (na, bi)tio3 based ceramics compensated with extra bi.pdf

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bi过量和mn掺杂的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷 mn-doped lead-free piezoelectric (na, bi)tio3 based ceramics compensated with extra bi

第4 期电子元件与材料 Vol.25 No.4 2006 年4 月 ELECTRONIC COMPONENTS MATERIALS Apr. 2006 研究与试制 R D Bi 过量和Mn 掺杂的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷杜鹃王矜奉赵明磊陈洪存梁兴华盖志刚苏文斌臧国忠山东大学物理与微电子学院山东济南 250100 摘要:采用传统电子陶瓷制备工艺制备(1–y )(Na Bi )TiO -y Ba(Zr Ti )O 无铅压电陶瓷获得了 d 高达 185 0.5 0.5 3 x 1–x 3 33 pC/N 的0.94(Na Bi )TiO -0.06Ba(Zr Ti )O 压电陶瓷对Bi 的挥发进行了补偿添加过量Bi O (摩尔分数z=0.08) 0.5 0.5 3 0.055 0.945 3 2 3 的钛酸铋钠基压电陶瓷 d33 高达218 pC/N 研究了Mn 掺杂对钛酸铋钠基陶瓷压电介电性能和损耗的影响获得了高性能的无铅压电陶瓷其中d 为214 pC/N k 为0.44 k 为0.52 33 t 33 关键词:无机非金属材料无铅压电陶瓷掺杂压电常数机电耦合系数中图分类号: TM282 文献标识码:A 文章编号:1001-2028 2006 04-0001-03 Mn-doped Lead-free Piezoelectric (Na, Bi)TiO3 Based Ceramics Compensated with Extra Bi DU Juan, WANG Jin-feng, ZHANG Ming-lei, CHEN Hong-cun, LIANG Xing-hua, GAI Zhi-gang, SU Wen-bin, ZANG Guo-zhong (School of Physics and Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China) Abstract: Lead-free piezoelectric ceramics (1–y )(Na Bi )TiO -y Ba(Zr Ti )O were fabricated using the conventional 0.5 0.5 3 x 1–x 3 ceramics technique. The composition 0.94(Na Bi )TiO -0.06Ba(Zr Ti )O is obtained wit