esd保护栅结构20v n沟道沟槽vdmosfet设计 gate esd protected of 20v n-channel trench vdmosfet design.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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esd保护栅结构20v n沟道沟槽vdmosfet设计 gate esd protected of 20v n-channel trench vdmosfet design.pdf

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esd保护栅结构20v n沟道沟槽vdmosfet设计 gate esd protected of 20v n-channel trench vdmosfet design

第11卷，第6期电子与封装总第98期 201 V01．11，No．6 1年6月 ELECTRoNICSPIACKAGING ⑧⑧⑧僵)(⑧⑤⑧蓬)⑧ ESD保护栅结构20V 殷允超，黄秋萍 (苏州大学，江苏苏州215021) 摘要：文章主要研究了低压ESD保护栅型沟槽VDMOSFET的设计制造方法。首先简要分析了沟槽VDMOSFET的结构、工作原理以及ESD保护结构的理论实现。基于20VN沟道设计的主要参数指标，给出了具体的外延规格、终端结构、版图、工艺流程等主要设计点。在流片的分片单中对沟槽深度、栅氧厚度、P-阱注入剂量以及ESD—poly注入剂量进行分条件流片。通过CP数据以及封装测试数据的对比，确定了最佳的设计方案。最终的直流参数测试值都达到预计指标，在ESD方面，器件可承受大于2．5kV的HBM静电放电。关键词：VDMOSFET；ESD；沟槽中图分类号：TN305 文献标识码：A 文章编号：1681—1070(2011)06—0027-04 GateESD Protectedof20VN-ChannelTrenchVDMOSFET Design YIN Yun—chao，HUANGQiu-ping (SoochowUniversity，Suzhou215021，China) Abstract：A GateESD ofTrenchVDMOSFETwas of Trench low。voltage protected designed．Aboveall，The VDMOSFET andthe ofESD structureswas on structure，workingprincipletheory protection analyzed．Based the ofthe20VN—channel the designtarget device，givenspecificEpitaxyspecifications，terminalstructure， flow．Rundifferentconditionattrench oxide and layout，process depth，gatethickness，P-bodydosageESD-poly inwafer theCPandFTdatato thebest finalDC the dosage split-table．From get design．The parameterget target isabove2．5kVHBM． ofexpected．ESDrating Keywords：VDMOSFET；ESD；trench 静电电压会在单个器件中导致高电场和大电流密度， 1 引言这些会使器件产生热损伤或使绝缘体被破坏。据统计，在所有半导体