batio3铁电纳米膜制备及物性和微结构表征 fabrication, physical property and microstructural characterization of ferroelectric batio3 nanofilms.pdfVIP

第28卷第2期 电子显微学报 V01．28．No．2 2(109年4月 ofChinese 2009．04 Journal Electron MicroscopySociety 文章编号：1000．6281(2009)02．0180-06 BaTi03铁电纳米膜制备及物性和微结构表征 朱信华，朱健民，刘治国，闵乃本 (南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室，江苏南京210093) 摘要：采用脉冲激光淀积法在硅基氧化铝纳米有序孔膜版介质上(膜版孔径平均尺寸20nm，内生长P【纳米线作 为底电极一部分)制备了BaTi03铁电纳米膜，并对其物性(铁电和介电性能)和微结构进行了表征。结果表明厚度 Bin 170 Hz至106IU)，从400缓慢下降到350；介电损耗在低频 BaTi03／／次电膜的介电常数，随着测量频率的增加(103 区域(103—103Hz)从O．029缓慢增加到0．036，而在高频率区域(103 Hz)g，则迅速增加到0．07。这是由于BaTi03 铰电薄膜的介电驰豫极化引起的。电滞回线测量结果表明，该薄膜的剩余极化强度为17∞，c矗，矫顽场强为175 的界面呈现一定程度的弯曲。选区电子衍射图和高分辨电子显微像均表明BaTi03铁电薄膜具有钙钛矿型结构。 在BaTi03纳米铁电薄膜退火晶化处理后，部分Pt纳米线的再生长导致顶端出现分枝展宽现象。为了兼顾氧化铝 纳米有序孔膜版内的金属纳米线有序分布和BaTi03纳米薄膜结晶度，合适的退火温度是制备工艺过程的关键因 素。 关键词：BaTi03；铁电纳米膜；介电和铁电性能；微结构 中图分类号：TM22+3；TB383；TNl6；TGll5．21+5．3文献标识码：A 铁电材料是一类具有自发极化且自发极化矢量 构表征成为亟待解决的问题。 可随外电场反转的极性电介质材料，它的基本特征 当前国际上正在积极开展纳米结构铁电膜的研 是电极化强度(P)和电场强度(E)之间具有复杂的究H_6】，主要采用两种技术路线制备铁电体纳米结 非线性关系；在周期性变化的电场作用下，呈现电滞 回线特征。足够大的电场可以改变其极化方向，而 光刻]、纳米印痕光刻n叫等；(b)化学方法，如液相 当外电场去除后，这一极化状态仍能保持，称为剩余 沉积n¨、胶体化学自组装法n引。虽然化学自组装方 极化(Pr)。利用铁电材料的这一特性可制备铁电存 nm的铁电体纳米结 法可以制备横向尺寸为10。50 储器(FRAM)，该存储器同时具有随机存取存储器构，远小于目前任何物理方法获得的尺寸，但它面 (RAM)和非易失性存储器的特性…。由于FRAM具临铁电体纳米结构无序分布的难题。在纳米尺度上 有近乎无限次快速擦写和非易失性特点，使得它成 控制铁电体(量子点)的有序排列并控制相邻铁电体 为未来存储器的主流，并广泛应用于非接触IC卡、 之间的距离，是一个富有挑战性的课题。已有的研 智能卡、移动电话、掌上电脑、手提计算机、嵌入式微 究工作大多基于铁电体纳米颗粒在衬底支撑物上的 处理器等方面心1。 化学自组装原位生长，但这种方法很难控制铁电体 然而，目前真正限制FRAM广泛应用的原因是纳米颗粒的尺寸分布及其在支撑物上的有序分布。 其存储密度比较低。为了提高FRAM的存储密度，为解决这个问题，可考虑使用纳米有序孔膜版法制 铁电存储单元的特征尺寸需不断缩小。根据2005备铁电体有序纳米结构。然而直到最近，人们才开 年半导体工业协会公布