bao-3tio2微波介质陶瓷的h3bo3掺杂改性研究 h3bo3-doping modification study of bao-3tio2 microwave dielectric ceramics.pdfVIP

下载本文档

2
0
约1.18万字
约 3页
2017-08-21 发布于上海
举报
版权申诉

bao-3tio2微波介质陶瓷的h3bo3掺杂改性研究 h3bo3-doping modification study of bao-3tio2 microwave dielectric ceramics.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

bao-3tio2微波介质陶瓷的h3bo3掺杂改性研究 h3bo3-doping modification study of bao-3tio2 microwave dielectric ceramics

第29卷第5期电子元件与材料、，oI．29No．5 2叭O年5月 ELECTRoNICCoMPoNENTSAND^IATERIALS 20lO May 何春中，张树人，唐斌，周晓华 (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都610054) 掺杂量对其烧结温度和介电性能的影响，并与H3803掺杂改性的B棚409陶瓷进行了对比研究．结果表明，H3803 GHz 000 杂质量分数为3％的H3803时，制备的Ba0—3Ti02微波介质陶瓷具有良好的介电性能：岛=34．1，Q·厂=9 (4．0GHz)，略优于H3803掺杂改性的BaTi409陶瓷．关键词：微波介质陶瓷：低温烧结；BaO．3Ti02；BaB204 doi：lO．396铷．issn．100l-2028．2010．05．004 中图分类号：n位82 文献标识码：A 文章编号：l001．2028(2010)05．0011．03 modificationof microwaVe BaO·3Ti02 H3803-dopingstudy dielectricceramics HE Xiaohua Shuren，TANGBin，ZHoU Chunzhong，ZHANG Thin ofElectronicFilms柚d ElecnlonicSci蚰ce锄d of (s眦KeyLaboratory Inte刚edDevices，UniVers时of 1khnology China，Chengdu6l0054，Chir蝴 modified micmwavedielectricce唧mics、vere the∞lid叱她 BaO·3Ti02 Ilsing Abstract：H3803．doping prepared 嘣拟ionmethodto with modified reali髓low．temperature BaTi409ceraullics，the sintering．ComparingH3803·doping e丘如tsofthe aITIoumonthe dielectric we佗 ofthe ce姗ics H3803-doping sinteringtempe胁re锄dpropeniesBaO-3Ti02 studied．The嘣sultsshowthatthe ceramicswitIl c锄besimercdatalower