N沟道增强型功率场效应晶体管-无锡东海旭日电子实业有限公司.PDFVIP

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N沟道增强型功率场效应晶体管-无锡东海旭日电子实业有限公司

DHF4NE65 N沟道增强型功率场效应晶体管 1、概述与特点 DHF4NE65是N沟道增强型功率场效应晶体管。主要用途:AC-DC开关电源、电子镇流器、UPS 电源、 DC-DC 电源转换器、LED 电源、高压H桥PWM马达驱动。其特点如下: ●导通电阻低 ●低栅极电荷 ●开关速度快 ●低反向传输电容 ●100%单脉冲雪崩能量筛选测试 ●封装形式:TO-220F,管脚排列:G、D、S ●符合RoHS指令要求 2、电特性 2.1 极限值 (除非另有规定,Tc=25℃) 参数名称 符号 额定值 单位 最高漏极-源极直流电压 VDSS 650 V 最高栅极-源极电压 VGSS ±30 V I (T=25℃)D 4.0 A 连续漏极电流 (T=100℃) 2.6 A 单脉冲雪崩能量(注1) EAS 160 mJ 栅源ESD VESD(G-S) 3000 V (HBM-C=100pF,R=1.5KΩ) 二极管反向恢复最大电 dv/dt 4.5 V/ns 压变化速率(注2) T=25℃ P 2.0 W 耗散功率 a tot T=25℃ P 45 W C tot 绝缘耐压(DC) VISO 2500 V 最高结温 Tj 150 ℃ 贮存温度 Tstg -55~150 ℃ 焊锡最高温度 TL 300 ℃ 2.2 电参数 (除非另有规定,Tc=25℃) 规范值 单 参数名称 符号 测试条件 最小 典型 最大 位 漏源击穿电压 V I=250μA,V =0V 650 V DS D GS 源栅反向电压 V I =±1mA (Open Drain) ±30 V SGS GS 零栅电压漏极电流

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