H．SiC高速同质外延研究-evwpscom.PDFVIP

第 27卷 第 8期 无 机 材 料 学 报 V0lJ27 NO．8 2012年 8月 JournalofInorganicMaterials Aug．，2012 文章编号：1000—324X(2012)08—0785—05 DoI：10．3724／SP．J．1077-2012．11577 4H．SiC高速同质外延研究 朱明星 ，石 彪 ，陈 义 ，刘学超 ，施尔畏 (1．中国科学院 上海硅酸盐研究所，上海201800；2．中国科学院 研究生院，北京 100049) 摘 要：研究了生长温度为 1400*C时4H—SiC同质外延膜的生长速率、表面形貌及缺陷．拉曼表征并结合KOH腐蚀 表明外延膜中未出现 3C—SiC多晶，为单一的4H—SiC晶型．通过KOH腐蚀发现，低生长速率和高C／Si比有利于衬 底表面的基平面位错(BPDs)转变成露头刃位错(TEDs)．在高生长速率下，外延膜的表面三角形缺陷和位错密度会 显著增加．通过引入界面层，可以实现生长初期的平滑过渡，极大地降低高生长速率下外延膜的缺陷密度． 关 键 词：碳化硅；同质外延；结晶缺陷；表面形貌缺陷 中图分类号：TQ174 文献标识码：A High-speedHomoepitaxialGrowthof4H-SiC ZHU Ming—Xing ，SHIBiao一，CHEN Yi，LIU Xue—Chao，SHIEr—Wei (1．ShanghaiInstituteofCeramics，ChineseAcademyofSciences，Shanghai201800，China；2．GraduateUniversityofthe ChineseAcademyofSciences，Beijing100049，China) Abstract：Homoepitaxialgrowthof4H—SiC at1400~C wasexplored．Thegrowthrate，surfacemorphologyand defectsoftheepi—layerswerestudied．RamancharacterizationcombinedwithKOH etching indicatedthatthe epi—layerswere4H—SiC singlecrystalwithout3C—SiC polycrystalline．In addition，low growthrateandhighC／Si ratiowerebeneficialtoconvertthebasalplanedislocations(BPDs)insubstratesurfacetothreadingedgedisloca— tions(TEDs)atthesub—epiinterface．Furthermore，thelow growthratewasalsofavorabletoreducethedefects generatedduringthegrowthprocess．Withthegrowthrateincreasing，thesurfacetriangledefectsanddislocations oftheepilayerssignificantlyincreased．Mostofthesedefectsanddislocationswereconsideredtobegeneratedat thesub—epiinterfaceatthebeginningofthegrowth．Byoptimizingtheinterfacelayeratinitialstage，asmooth transitionfrom surfaceetchingtoepi—layerdepositioncanbeachievedwhilethesurfacemorphologicaldefectsand crystaldefects