项目四 硅分子束外延.docVIP

项目四 硅分子束外延 任务一、基本概况 硅分子束外延包括同质外延，异质外延。 硅分子束外延是通过原子、分子或离子的物理淀积，在适当加热的硅衬底上进行硅（或与硅相关材料）的外延生长。 （1）外延期间，衬底处于较低温度。 （2）同时掺杂。 （3）系统维持高真空。(工作压强10-8Pa×7.5×10-3Torr/Pa=7.5×10-11Torr) （4）特别注意原子级干净的表面。 它的工作原理如图4-1所示。 图4－1 MBE工作过程示意图 任务二、分子束外延的发展历史背景 相对于CVD缺点而发展起来。 CVD缺陷：衬底高温，1050℃，自掺杂严重（跟高温有关）。 原始的分子束外延：硅衬底加热至适当温度，真空下使硅蒸发到硅衬底上,进行外延生长。（1962年）。分子束外延：Molecular Beam Epitaxy，MBE。 生长准则：入射分子充分运动，达到衬底的热表面，并以单晶形式排列。 （1）衬底的温度达到1/3熔点温度，1450℃/3，T=500℃，可获得足够的表面迁移率。 （2）杂质浓度：取决于系统的真空度，即杂质吸附在表面以及结合到外延膜中的程度。 硅蒸发技术：1、电阻加热，瞬间蒸发。2、电子轰击蒸发。 在低工作压强中进行，玷污成主要问题。 氧、氢存在，表面只有小部分结合，晶体产生缺陷，衬底温度TS升高，生长速率增高，1(m/min增至1.5(m/min, TS=1200(C，但掺杂无法控制。 超高真空系统出现（Ultrahigh Vacuum UHV），本底真空度降至10-9Pa，生长速率Re下降，TS下降。 在杂质吸附系数S、衬底温度TS条件下，可根据图4-2定性地估计杂质的浓度。 图4-2 本底杂质浓度和本底压强的关系 外延膜掺杂浓度随掺杂源浓度、生长速率以及衬底温度的变化有不同的模型，它可用脱附系数，吸附系数，以及蒸气压来表示。 至今MBE的参杂仍是一个重要课题。 过去曾得到硅中掺锑的外延膜，摸索并了解得吸附系数与锑流量及衬底温度之间的关系。 任务三、硅分子束外延的重要性 硅MBE是在一个严格控制的低温系统中进行。 （1）能很好地控制杂质浓度，达到原子级。非掺杂浓度可控在3(1013/cm3。 （2）外延可在无缺陷的最佳条件下进行。 （3）外延层，厚度可控制在单原子层的厚度内，进行超晶格外延，几十个A°((几百个A°，从而可实现人工设计，并制备性能优异的新功能材料。 （4）硅的同质外延，类硅的异质外延。 任务四、外延生长设备 发展方向：可靠性，高性能和多功能， 价格高，复杂，运行费用高。 可用于硅MBE，化合物MBE，III-V族MBE， 金属半导体的MBE正在发展中。 基本的共同特点： （1）基本的超高真空系统，外延室，努森加热室； （2）分析手段，LEED、SIMS，RHEED等； （3）进样室。 基本结构见图4-3。 （1）电子束轰击硅靶表面，从而容易产生硅分子束。为了避免硅分子束散发到旁边去而引起不良影响，大面积屏蔽和准直是必需的。 （2）电阻加热的硅阴极产生不了强分子束，其它的石墨坩埚有Si-C玷污，最好的办法是电子束蒸发产生硅源。因为，硅MBE某些部分温度较高，便于蒸发，硅的低蒸发压要求蒸发源具有较高温度。 蒸发同时，要对束流密度和扫描参数进行控制。使得硅熔坑正好处在硅棒内，硅棒成为高纯坩埚。  监测分子束流有以下几种： （1）石英晶体常用于监测束流，束流屏蔽和冷却适当，可得满意结果。但噪音影响稳定性。几个(m后，石英晶体便失去了线性。调换频繁，主系统经常充气，这不利于工作。 （2）小型离子表，测分子束流压，而不是测分子束流通量。由于系统部件上的淀积而使其偏离标准。 （3）低能电子束，横穿分子束，利用所探测物种的电子激发荧光。原子被激发并很快衰退到基态产生UV荧光，光学聚焦后荧光密度正比于束流密度。可用做硅源的反馈控制。不足之处：切断电子束，大部分红外荧光和背景辐射也会使信噪比恶化到不稳定的程度。它只测原子类，不能测分子类物质。 （4）原子吸收谱，监测掺杂原子的束流密度。 用断续束流，对Si、Ga分别用251.6(m，294.4(m光辐射进行探测，光束穿过原子束所吸收强度转换成原子束密度，并得到相应比率。 分子束外延（MBE）衬底底座是一个难点。 MBE是一个冷壁过程，却衬底硅片加热高达1200(C，环境要常温。此外，硅片要确保温度均匀。 由电阻耐火金属和石墨阴极，背面辐射加热，而整个加热部件却装在液氮冷却的容器中，以减少对真空部件的热辐射。 衬底旋转，保证加热均匀。 自由偏斜，可增强二次注入的掺杂效应。 阴极热发射电子轰击硅片，以提高衬底温度。在硅基技术很成熟，现大直径硅片外延，对晶体质量，外延膜的厚度及掺杂均匀性的要求很高。 （1）在MBE过程中，掺杂齐分子束由标准的努森喷射室产生