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2017-08-19 发布于河南
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6-13 双极晶体管单管结构和工作原理

双极晶体管的单管结构及工作原理;N;正向工作区发射结正偏，发射极发射电子，在基区中扩散前进，大部分被集电极反偏结收集： ( 接近于1）具有电流放大作用： ;当发射结正偏（VBE0)，集电结也正偏（VBC0)时(但注意，VCE仍大于0)，为饱和工作区。;当VBC0 ， VBE0时，为反向工作区。工作原理类似于正向工作区，但是由于集电区的掺杂浓度低，因此其发射效率低，很小（约0.02）。;共发射极的直流特性曲线;2.2 理想本征集成双极晶体管的EM模型;+; 两结三层三极管(双结晶体管);实际双极晶体管的结构; 两结三层三极管(双结晶体管);BJT的三种组态 ; 三结四层结构(多结晶体管); 三结四层结构(多结晶体管); 三结四层结构(多结晶体管);§2.3 集成双极晶体管的有源寄生效应;VBE;VEB_pnp=VBC_npn0;集成双极晶体管的有源寄生效应;集成双极晶体管??有源寄生效应;集成双极晶体管的有源寄生效应;VEB_pnp=VBC_npn0;集成双极晶体管的有源寄生效应;§2.4 集成双极晶体管的无源寄生效应;集成双极晶体管的无源寄生效应;rCS=rC1+ rC2+rC3;rCS=rC1+ rC2+rC3;rCS=rC1+ rC2+rC3;rCS=rC1+ rC2+rC3;rB=rB1+ rB2+rB3;§2.5 MOSFET的单管结构及工作原理;VG=0 VS=0 VD=0;VGS0时，沟道出现耗尽区，至VGS VTH时，沟道反型，形成了连接源漏的通路。;VD;场区寄生MOSFET 寄生双极晶体管寄生PNPN效应（闩锁（Latch up）效应）;场区寄生MOSFET;寄生双极晶体管;寄生PNPN效应（闩锁（ Latch up ）效应）;作业