第二章2.2 PN 结直流电流电压方程.pptVIP

PN 结在正向电压下电流很大 ，在反向电压下电流很小 ，这说明 PN 结具有单向导电性，可作为二极管使用。 ; 本节的重点 1、中性区与耗尽区边界处的少子浓度与外加电压的关系。这称为“结定律”，并将被用做求解扩散方程的边界条件； 2、PN 结两侧中性区内的 少子浓度分布 和 少子扩散电流； 3、PN 结的 势垒区产生复合电流; 平衡 PN 结的能带图;面积为 Vbi ; 势垒高度降低后不能再阻止 N 区电子向 P 区的扩散 及 P 区空穴向 N 区的扩散，于是形成正向电流 。由于正向电流的电荷来源是多子，所以正向电流很大。;V; 外加反向电压 V (V 0) 后，PN 结的势垒高度由 qVbi 增高到 q(Vbi -V)，xd 与 都增大。; 多子面临的势垒提高了，更不能扩散到对方区域中去了，但少子面临的势阱也更深了，所以更容易被反向电场拉入对方区域，从而形成反向电流。 由于反向电流的电荷来源是少子，所以反向电流很小。;V; 外加电压 V 后，; 上式说明：当 PN 结有外加电压 V 时，中性区与耗尽区边界处的少子浓度等于平衡时的少子浓度乘以 exp (qV/kT ) 。以上两式常被称为“结定律”，对正、反向电压均适用。但在正向时只适用于小注入。; 2.2.3 扩散电流 ; 假设中性区的长度远大于少子扩散长度，则根据结定律可得 少子浓度的边界条件 为; 当外加正向电压且 V kT/q ( 室温下约为 26 mV ) 时，非平衡少子的边界条件可简化为，;直流情况下 ，又因 ，故可得; P 区内的非平衡少子电子也有类似的分布，即; 外加正向电压时 PN 结中的少子分布图;P 区;; PN 结总的扩散电流密度 Jd 为; 室温下硅 PN 结的 J0 值约为 10-10A/cm2 的数量级。 ; 对 J0 的讨论 ; 2.2.4 势垒区产生复合电流;　　由第 2.1 节已知，在势垒区中，当外加电压 V 时，; 为简化计算，可假设在势垒区中 n 与 p 相等，且不随 x 而变化，即; 当 V = 0 时，Jgr = 0 ; 以 P+N 结为例，当外加正向电压且 V kT/q 时， ; 在 ln I ~V 特性曲线中，当以 Jr 为主时，;蜀盏韧吓乖陇收陨貉迈绢秦前废和虚闷搭哪倾皋噎杏团岂傣量讹焕伤患寸第二章2.2 PN 结的直流电流电压方程第二章2.2 PN 结的直流电流电压方程; 外加反向电压且 |V| kT/q 时，两种反向电流的比值为 ; 在常用的正向电压和温度范围内，PN 结的正向电流以扩散电流 Jd 为主。这时正向电流可表示为; 由于反向饱和电流 I0 的值极小，当正向电压较低时，正向电流很小，PN 结似乎未导通。只有当正向电压达到一定值时，才出现明显的正向电流。将正向电流达到某规定值（例如几百微安到几毫安）时的正向电压称为 正向导通电压，记作 VF 。; 影响正向导通电压 VF 的因素 I0 = AJ0 越大，VF 就越小，因此， EG↑，则 I0↓，VF↑； NA 、ND↑，则 I0↓，VF↑，主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度； T ↑， 则 I0↑，VF↓，因此 VF 具有负温系数。; 2.2.6 薄基区二极管 本小节的结果在第 3 章中有重要用途。; 薄基区二极管 是指，PN 结的某一个或两个 中性区的长度小于少子扩散长度 。; 利用上述边界条件，求解扩散方程得到的 N 区中的非平衡少子分布 ?pn(x) 为; 对于薄基区二极管，WB Lp ，利用近似公式 ， ( |u| 1 时) ，得; 当 WB Lp 时的空穴???散电流密度为;第 2 章第 1 次习题