椭偏法表征四面体非晶碳薄膜的化学键结构-中科院宁波工研院先进碳.PDF

第 卷 第 期 ， ３２ 　 １０ 光 学 学 报 Ｖｏｌ．３２ Ｎｏ．１０ 　 　 　 年 月 ， ２０１２ １０ ＡＣＴＡＯＰＴＩＣＡＳＩＮＩＣＡ Ｏｃｔｏｂｅｒ ２０１２ 　 　 　 椭偏法表征四面体非晶碳薄膜的化学键结构 李晓伟 周 毅 孙丽丽 汪爱英 　 　 　 　 （ ， ） 中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波市海洋防护材料与工程技术重点实验室 浙江宁波 ３１５２０１ （ ） ， 摘要 采用自主研制的双弯曲磁过滤阴极真空电弧 ＦＣＶＡ 技术 在不同衬底负偏压下制备了四面体非晶碳 　 （ ） 。 （ ） ， ｔａＣ 薄膜 通过分光光度计和椭偏 ＳＥ 联用技术精确测量了薄膜厚度 重点采用椭偏法对不同偏压下制备的 ｔａ － － ３ ２ 　 　 ， （ ） ， 薄膜 键和 键结构进行了拟合表征 并与 射线光电子能谱 和拉曼光谱的实验结果相对比 分析 Ｃ ｓ Ｃ ｓ Ｃ Ｘ ＸＰＳ ｐ ｐ 。 ， ， ； 了非晶碳结构的椭偏拟合新方法可靠性 结果表明 在－１００Ｖ 偏压时薄膜厚度最小 为 ３３．９ｎｍ 随着偏压的增 ２ ３ 　 　 ， ， ， 。 ， 、 、 加 薄膜中的 ｓ Ｃ含量增加 ｓ Ｃ含量减小 光学带隙下降 对比结果发现 椭偏法作为一种无损 简易 快速的表 ｐ ｐ ２ ３ ２ 　 　 　 ， ， 征方法 可用于 ｔａＣ薄膜中 ｓ Ｃ键和 ｓ Ｃ键含量的准确测定 且在采用玻璃碳代表纯 ｓ Ｃ的光学常数及拟合波 － ｐ ｐ ｐ ， 。 长选取 ２５０ １７００ｎｍ时的椭偏拟合条件下 拟合数值最佳 ～ ；