电工电子学(唐介)第8章半导体器件.pptVIP

[解] (1) Ui＝10 V 时 DZ 反向击穿稳压：UO = UZ = 5 V 。 (2) Ui = 3 V 时 DZ 反向截止：UO= Ui = 3 V 。 (3) Ui =－5 V 时 DZ 正向导通：UO= 0 V 。 (4) ui = 10sin? t V 时 当 0＜ui＜5 V 时，DZ 反向截止： UO= Ui = 10sin? t V。 当 ui＞5 V 时，DZ 反向击穿稳压： 如图所示电路，设 UZ = 5 V，正向压降 忽略不计。当直流输入Ui = 10 V、3 V、－5 V 时，Uo= ？当输入为交流 ui = 10sin? t V 时，分析 uO的波形。 R DZ ＋ Ui － ＋ UO － 5 ? t uO/V O ? 2? 3? UO = UZ = 5 V 。 当 ui＜0 V 时， DZ 正向导通：UO= 0 V。 * 光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 符号 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管高，电流为几 ~ 几十mA 光电二极管 发光二极管 * 8.4 双极型晶体管 1. 基本结构 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 * 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 * 二、工作状态 条件: 发射结正偏, 集电结反偏。 发射区发射载流子 →形成电流IE 少部分在基区被复合 →形成IB 大部分被集电区收集 →形成IC 1．放大状态 ⑴电流的形成 N P N B E C RC UCC UBB RB 晶体管中载流子的运动过程 IE IC IB * ⑵ 电流的关系 IE= IB +IC 当 IB = 0 时， 直流 (静态) 电流放大系数 交流 (动态) 电流放大系数 ≈ IC IB IC－ICEO IB β = ?IC ?IB β= UCE =常数 ?IC ?IB ≈ IC = ICEO N P N B E C RC UCC UBB RB IE IC IB 电路图 * IB 微小的变化，会产生 IC 很大的变化。 IC =βIB 。 0＜UCE＜UCC ， UCE = UCC－RC IC 。 晶体管相当于通路。 ⑶ 特点 * * 特点： IB↑,IC 基本不变。 IC≈UCC / RC 。 UCE≈0 。 晶体管相当于短路。 条件: 发射结正偏, 集电结正偏。 IB↑,IC ↑ UCE = (UCC－RC IC)↓ ICM = UCC / RC 2. 饱和状态 电路图 N P N B E C RC UCC UBB RB IE IC IB C E RC UCC 饱和状态时的晶体管 * 特点： IB= 0 IC= 0 UCE= UCC 晶体管相当于开路。 3. 截止状态 条件: 发射结反偏, 集电结反偏。 电路图 C E RC UCC N P N B E C RC UCC UBB RB IE IC IB 晶体管处于放大状态。 [例] 图示电路，晶体管的 ? = 100，求开关 S 合向 a、b、c 时 的 IB、IC 和 UCE，并指出晶体管的工作 状态（忽略 UBE ）。 [解] (1) 开关 S 合向 a 时 UBB1 RB1 5 500×103 IB = = A = 0.01 mA IC = ?IB = 100×0.01 mA = 1 mA UCE = UCC－RCIC = (15－5×103×1×10－3) V = 10 V UCC = 15 V UBB1 = 5 V UBB2 = 1.5 V RB1 = 500 k? RB2 = 50 k? RC = 5 k? UBB1 S B C E RC UCC RB1 UBB